存储芯片行业的繁荣期通常短暂，因为高价会刺激厂商扩产，最终导致供给过剩、价格回落。但当前由人工智能（AI）驱动的内存需求，可能让这轮周期持续更久。多家存储大厂正面临产能扩张速度跟不上需求的困境，这为行业景气提供了支撑。

高带宽内存（HBM）是AI加速器的关键部件，但其生产过程会挤占传统DRAM的产能。市场研究机构TrendForce估计，到2027年，HBM可能占用三大存储厂商约30%的DRAM产能，但仅占其存储位元产量的13%。这意味着留给传统内存的制造空间更少，而AI服务器本身又需要更多服务器DRAM。TrendForce预计，新工厂和更先进的制程将使2027年DRAM位元供应量增加约24%，但新增供给可能仍不足以满足需求，因为HBM占用产能更多，新设备到位也需要时间。

行业三大存储巨头的财报数据凸显了当前存储周期的强劲。美光科技（Micron）在2026财年第三季度（截至2026年5月28日）营收同比增长约346%，达到415亿美元，非GAAP毛利率高达84.9%。SK海力士在2026财年第二季度（截至2026年6月30日）营收同比增长257%，营业利润同比大增557%。三星电子在2026年第一季度仍是全球最大的服务器DRAM供应商，市场份额为38.5%，SK海力士以28.8%紧随其后，美光占22.4%。

另一个显示存储市场紧张程度的迹象是，TrendForce发现，自2026年第一季度以来，传统服务器DRAM的生产利润已超过HBM。部分原因是DRAM价格涨得更快，而HBM价格被锁定在较长期合同中。这意味AI热潮不再只利好HBM，产能紧张也支撑了更广泛的DRAM市场的价格和利润。

面对强劲需求，三星、SK海力士和美光都在扩大产能。SK海力士近期批准了383亿美元的投资，用于在韩国新建芯片制造设施，包括HBM和其他先进DRAM产品。美光也在美国扩充DRAM产能。据路透社报道，中国长鑫存储（ChangXin Memory Technologies）是全球第四大DRAM制造商，该公司计划将月产能从约30万片晶圆提升至超过60万片，翻倍以上。

然而，新增供应需要时间才能上线。TrendForce指出，设备交付周期长以及产能向HBM转移，使DRAM供应增长落后于需求。这种延迟可能延长存储景气周期，即使厂商在扩产。但这并不意味着繁荣会永远持续。TrendForce预计NAND供应将在2027年下半年松动，而DRAM产能2027年可能仍保持紧张。对投资者而言，关键信号将是DRAM供应增长何时最终超过需求。在此之前，当前的存储景气周期可能仍有上行空间。