儲存晶片行業的繁榮期通常短暫，因為高價會刺激廠商擴產，最終導致供給過剩、價格回落。但當前由人工智慧（AI）驅動的記憶體需求，可能讓這輪週期持續更久。多家儲存大廠正面臨產能擴張速度跟不上需求的困境，這為行業景氣提供了支撐。

高頻寬記憶體（HBM）是AI加速器的關鍵部件，但其生產過程會擠佔傳統DRAM的產能。市場研究機構TrendForce估計，到2027年，HBM可能佔用三大儲存廠商約30%的DRAM產能，但僅佔其儲存位元產量的13%。這意味著留給傳統記憶體的製造空間更少，而AI伺服器本身又需要更多伺服器DRAM。TrendForce預計，新工廠和更先進的製程將使2027年DRAM位元供應量增加約24%，但新增供給可能仍不足以滿足需求，因為HBM佔用產能更多，新裝置到位也需要時間。

行業三大儲存巨頭的財報資料凸顯了當前儲存週期的強勁。美光科技（Micron）在2026財年第三季度（截至2026年5月28日）營收同比增長約346%，達到415億美元，非GAAP毛利率高達84.9%。SK海力士在2026財年第二季度（截至2026年6月30日）營收同比增長257%，營業利潤同比大增557%。三星電子在2026年第一季度仍是全球最大的伺服器DRAM供應商，市場份額為38.5%，SK海力士以28.8%緊隨其後，美光佔22.4%。

另一個顯示儲存市場緊張程度的跡象是，TrendForce發現，自2026年第一季度以來，傳統伺服器DRAM的生產利潤已超過HBM。部分原因是DRAM價格漲得更快，而HBM價格被鎖定在較長期合同中。這意味AI熱潮不再只利好HBM，產能緊張也支撐了更廣泛的DRAM市場的價格和利潤。

面對強勁需求，三星、SK海力士和美光都在擴大產能。SK海力士近期批准了383億美元的投資，用於在韓國新建晶片製造設施，包括HBM和其他先進DRAM產品。美光也在美國擴充DRAM產能。據路透社報道，中國長鑫儲存（ChangXin Memory Technologies）是全球第四大DRAM製造商，該公司計劃將月產能從約30萬片晶圓提升至超過60萬片，翻倍以上。

然而，新增供應需要時間才能上線。TrendForce指出，裝置交付週期長以及產能向HBM轉移，使DRAM供應增長落後於需求。這種延遲可能延長儲存景氣週期，即使廠商在擴產。但這並不意味著繁榮會永遠持續。TrendForce預計NAND供應將在2027年下半年鬆動，而DRAM產能2027年可能仍保持緊張。對投資者而言，關鍵訊號將是DRAM供應增長何時最終超過需求。在此之前，當前的儲存景氣週期可能仍有上行空間。