中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）正考虑在中国建设其第六座DRAM晶圆厂，以在未来几年大幅提升内存产出。据路透社报道，该公司在7月完成86亿美元的首次公开募股（IPO）后，开始酝酿这一新项目。若所有已宣布的项目均按计划推进，长鑫存储的中期产能有望翻倍以上。

长鑫存储目前运营着三座300毫米DRAM晶圆厂，其中两座位于合肥，一座位于北京亦庄。非官方消息称，每座工厂月产能约为10万片晶圆，因此公司当前月产能可能在30万片晶圆左右。公司正采取激进扩张策略，据路透社报道，其正在上海和合肥附近建设新工厂，而第六座工厂将选址北京亦庄，紧邻现有设施。一旦这些项目全面投产，长鑫存储的总产能可能超过60万片晶圆/月，较当前水平翻倍。

研究机构Citrini预计，长鑫存储到2026年底产能可达35万片晶圆/月，仅比美光科技年底目标少2.5万片。Citrini Research的模型显示，到2030年，长鑫存储产能将达约95万片晶圆/月。

建造三座大型DRAM工厂，无论从财务还是执行角度看都非同小可。众所周知，中国公司的几乎所有晶圆厂都依赖地方政府和中央政府的资金支持，这被称为“合肥模式”，旨在通过高风险项目将城市转变为经济引擎。因此，上海和北京都提供财政援助和其他支持以吸引长鑫存储落户，并不令人意外。据路透社援引知情人士消息，长鑫存储现有的北京工厂由长鑫集电运营，获得了亦庄开发区关联方亦庄国投和北京亦庄科技的支持。该区域已发展为相对重要的半导体制造枢纽，聚集了长鑫存储、中芯国际、北方华创和小米等企业。

拟建的第六座工厂位于北京亦庄，距市中心约20公里，长鑫存储已在此运营一座300毫米DRAM工厂。项目规划产能和总投资尚未披露，但路透社指出，一座先进DRAM工厂的典型成本远超100亿美元。消息人士称，公司正寻求从北京经济技术开发区获得至少6000万元人民币（约合890万美元）的财政支持，另有国有科技公司也表示有兴趣参与。讨论仍处于初步阶段，融资方案的整体规模和结构尚未敲定。

对长鑫存储而言，当前是获得资金注入的良机，因为其DRAM产品能以不错的价格销售给各类客户，包括国内PC和服务器制造商（如联想），以及美光、三星和SK海力士等全球品牌——这些巨头正优先将自有DRAM产能分配给AI领域。据报道，苹果、戴尔和惠普已认证长鑫存储的内存，准备在中国销售的设备中采用；宏碁和华硕已开始使用其DRAM。若长鑫存储与全球领先PC制造商签订长期供货合同，未来几年其产出几乎可确保售罄，这为扩产投资提供了合理性。

投资银行家Dan Niles（Niles Investment Management创始人）认为，许多投资者低估了长鑫存储及中国未来几年可能夺取的市场份额。他的论据基于DRAM市场领导地位的历史变迁：1975年美国公司控制95%的DRAM市场，仅英特尔就占75%；日本随后将DRAM变成大宗商品业务，到1985年份额升至80%，美国则跌至10%，1990年仅剩2%；韩国在1980年代中期复制了这一策略，最终取代日本供应商，如今约占全球DRAM产量的62%。Niles认为，随着美光在美国投入数千亿美元建设DRAM产能，美国将重获全球DRAM市场的重要地位，而中国到2030年可能占据30%的市场份额。中国已消耗全球约30%的内存产出，每年生产数亿台PC和智能手机供国内外消费，因此有理由预期中国会尽可能多地本地生产大宗内存。考虑到中国推动半导体自给自足并愿意投入巨资建设本土晶圆厂，其DRAM产出和份额有望快速提升。中国政府已大力推动芯片制造商启动DRAM生产，并据报道要求长鑫存储与其他企业共享其制程技术。

然而，多重技术和政治因素可能极大减缓长鑫存储及中国DRAM扩张的步伐。首先，出口管制阻止中国实体获取制造18纳米级DRAM所需的高端晶圆制造设备，这是当前最大的瓶颈。此外，先进制程的良率提升、人才储备以及国际政治环境的不确定性，都可能成为制约因素。尽管如此，长鑫存储的扩产计划与中国政府的产业政策相结合，预示着全球DRAM市场格局将迎来深刻变化。