中國儲存晶片製造商長鑫儲存（CXMT）正考慮在中國建設其第六座DRAM晶圓廠，以在未來幾年大幅提升記憶體產出。據路透社報道，該公司在7月完成86億美元的首次公開募股（IPO）後，開始醞釀這一新專案。若所有已宣佈的專案均按計劃推進，長鑫儲存的中期產能有望翻倍以上。

長鑫儲存目前運營著三座300毫米DRAM晶圓廠，其中兩座位於合肥，一座位於北京亦莊。非官方訊息稱，每座工廠月產能約為10萬片晶圓，因此公司當前月產能可能在30萬片晶圓左右。公司正採取激進擴張策略，據路透社報道，其正在上海和合肥附近建設新工廠，而第六座工廠將選址北京亦莊，緊鄰現有設施。一旦這些專案全面投產，長鑫儲存的總產能可能超過60萬片晶圓/月，較當前水平翻倍。

研究機構Citrini預計，長鑫儲存到2026年底產能可達35萬片晶圓/月，僅比美光科技年底目標少2.5萬片。Citrini Research的模型顯示，到2030年，長鑫儲存產能將達約95萬片晶圓/月。

建造三座大型DRAM工廠，無論從財務還是執行角度看都非同小可。眾所周知，中國公司的幾乎所有晶圓廠都依賴地方政府和中央政府的資金支援，這被稱為“合肥模式”，旨在通過高風險專案將城市轉變為經濟引擎。因此，上海和北京都提供財政援助和其他支援以吸引長鑫儲存落戶，並不令人意外。據路透社援引知情人士訊息，長鑫儲存現有的北京工廠由長鑫集電運營，獲得了亦莊開發區關聯方亦莊國投和北京亦莊科技的支援。該區域已發展為相對重要的半導體制造樞紐，聚集了長鑫儲存、中芯國際、北方華創和小米等企業。

擬建的第六座工廠位於北京亦莊，距市中心約20公里，長鑫儲存已在此運營一座300毫米DRAM工廠。專案規劃產能和總投資尚未披露，但路透社指出，一座先進DRAM工廠的典型成本遠超100億美元。訊息人士稱，公司正尋求從北京經濟技術開發區獲得至少6000萬元人民幣（約合890萬美元）的財政支援，另有國有科技公司也表示有興趣參與。討論仍處於初步階段，融資方案的整體規模和結構尚未敲定。

對長鑫儲存而言，當前是獲得資金注入的良機，因為其DRAM產品能以不錯的價格銷售給各類客戶，包括國內PC和伺服器製造商（如聯想），以及美光、三星和SK海力士等全球品牌——這些巨頭正優先將自有DRAM產能分配給AI領域。據報道，蘋果、戴爾和惠普已認證長鑫儲存的記憶體，準備在中國銷售的裝置中採用；宏碁和華碩已開始使用其DRAM。若長鑫儲存與全球領先PC製造商簽訂長期供貨合同，未來幾年其產出幾乎可確保售罄，這為擴產投資提供了合理性。

投資銀行家Dan Niles（Niles Investment Management創始人）認為，許多投資者低估了長鑫儲存及中國未來幾年可能奪取的市場份額。他的論據基於DRAM市場領導地位的歷史變遷：1975年美國公司控制95%的DRAM市場，僅英特爾就佔75%；日本隨後將DRAM變成大宗商品業務，到1985年份額升至80%，美國則跌至10%，1990年僅剩2%；韓國在1980年代中期複製了這一策略，最終取代日本供應商，如今約佔全球DRAM產量的62%。Niles認為，隨著美光在美國投入數千億美元建設DRAM產能，美國將重獲全球DRAM市場的重要地位，而中國到2030年可能佔據30%的市場份額。中國已消耗全球約30%的記憶體產出，每年生產數億台PC和智慧手機供國內外消費，因此有理由預期中國會盡可能多地本地生產大宗記憶體。考慮到中國推動半導體自給自足並願意投入巨資建設本土晶圓廠，其DRAM產出和份額有望快速提升。中國政府已大力推動晶片製造商啟動DRAM生產，並據報道要求長鑫儲存與其他企業共享其製程技術。

然而，多重技術和政治因素可能極大減緩長鑫儲存及中國DRAM擴張的步伐。首先，出口管制阻止中國實體獲取製造18奈米級DRAM所需的高階晶圓製造裝置，這是當前最大的瓶頸。此外，先進製程的良率提升、人才儲備以及國際政治環境的不確定性，都可能成為制約因素。儘管如此，長鑫儲存的擴產計劃與中國政府的產業政策相結合，預示著全球DRAM市場格局將迎來深刻變化。