三星电子7月27日发布了对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访，首次披露了下一代高带宽内存HBM5的关键技术细节。具子铉表示，HBM5的运行速度将比上一代HBM4E提升50%以上，其基础芯片将采用GAA（全环绕栅极）结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）技术。

三星计划基于在4纳米HBM4基础芯片上积累的经验，提前在HBM5中引入2纳米工艺。这一代际跨越意味着三星在先进制程与封装上的整合能力进一步升级。具子铉还提到，三星将拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，以引领半导体生态系统发展。

HBM（高带宽内存）是AI加速卡的关键组件，直接影响GPU的算力上限。三星此次确认HBM5采用2纳米GAA工艺，不仅是对自身技术路线的明确，也向市场传递了其与SK海力士、美光在HBM领域竞争的决心。若三星能如期量产HBM5，将为英伟达等客户的下一代AI芯片提供更高带宽、更低功耗的内存方案，进一步推动AI基础设施的升级。