三星電子7月27日釋出了對公司半導體事業部技術開發室長具子鉉的採訪，首次披露了下一代高頻寬記憶體HBM5的關鍵技術細節。具子鉉表示，HBM5的執行速度將比上一代HBM4E提升50%以上，其基礎晶片將採用GAA（全環繞柵極）結構的2奈米工藝，並實現更高整合度的矽通孔（TSV）技術。

三星計劃基於在4奈米HBM4基礎晶片上積累的經驗，提前在HBM5中引入2奈米工藝。這一代際跨越意味著三星在先進製程與封裝上的整合能力進一步升級。具子鉉還提到，三星將拓展與移動、HBM、AI、HPC、汽車電子、機器人等領域的客戶合作，以引領半導體生態系統發展。

HBM（高頻寬記憶體）是AI加速卡的關鍵元件，直接影響GPU的算力上限。三星此次確認HBM5採用2奈米GAA工藝，不僅是對自身技術路線的明確，也向市場傳遞了其與SK海力士、美光在HBM領域競爭的決心。若三星能如期量產HBM5，將為輝達等客戶的下一代AI晶片提供更高頻寬、更低功耗的記憶體方案，進一步推動AI基礎設施的升級。