台积电与英伟达在美国本土化制造上取得重大突破。据TechNews报道，台积电位于亚利桑那州的Fab 21晶圆厂已成功利用4纳米制程生产出首批英伟达GB300 AI绘图芯片（GPU）。这批芯片的下线，满足了美国在地制造AI芯片的部分需求，是重塑本土半导体供应链的关键起点。

然而，这批芯片尚未实现完全的“美国制造”。目前，在亚利桑那州生产的GPU仍需先运回台湾进行CoWoS先进封装，之后才能交给系统制造商进行后续组装。这意味着，台积电要达成美国政府要求的端到端AI芯片在地制造目标，下一步必须将CoWoS先进封装技术也落地美国。

在系统组装环节，台湾代工大厂已提前在美国南部布局。鸿海已在德州休斯顿建立了GB300 AI服务器制造基地，纬创也在德州达拉斯设立了服务器组装线，为未来的在地化供应链打下基础。

为进一步完善在地生态系，台积电计划在美国投入2650亿美元推动在地化生产，其中包括在亚利桑那州建设两座先进封装厂。这些设施将与新的晶圆厂结合，形成完整的制造聚落。一旦台积电的CoWoS与SoIC封装厂上线，未来将能在美国境内包办英伟达Blackwell与Rubin芯片的完整生产流程。

放眼未来，台积电更计划在2028年前将N2（2纳米）与A16（1.6纳米）等更先进制程引入美国。首批GB300芯片的成功制造，标志着美国半导体供应链重塑的重要一步。随着未来先进封装产能的逐步开出，美国有望逐步实现完全的AI芯片在地化生产，这对全球AI算力基础设施的布局和地缘政治格局都将产生深远影响。