ASML 控股（納斯達克：ASML）股價週二上漲約 2%，此前多家主要晶片製造商公佈了採用其最新 High-NA 極紫外（EUV）光刻系統的計劃，市場對此反應積極。據 GuruFocus 報道，台積電、三星電子和英特爾均在推進使用該先進裝置的計劃，並與 ASML 合作，將光罩從 6 英寸格式轉向 12 英寸格式。

ASML 表示，更大的光罩可將 High-NA 系統的吞吐量提升至多 40%。更高的吞吐量有助於晶片製造商提高生產效率，尤其是在人工智慧應用對處理器需求持續擴張的背景下。ASML 技術長 Marco Pieters 表示，更大尺寸的光罩格式可支援 High-NA 裝置實現更高生產率。

在長期技術佈局方面，台積電與 ASML 計劃到 2031 年建立 12 英寸光罩測試線，並目標在 2033 年實現商業化生產。英特爾和三星電子也參與了這一開發工作，凸顯了業界對下一代光刻技術的廣泛興趣。

High-NA EUV 被視為超越當前 EUV 技術的下一代光刻方案，能夠實現更精細的晶片製程。隨著 AI 算力需求激增，先進製程晶片的產能成為關鍵瓶頸，而光刻裝置的升級是突破瓶頸的核心環節之一。ASML 作為全球領先的光刻裝置供應商，其 High-NA 技術的商業化程序直接影響台積電、英特爾、三星等晶圓代工巨頭的技術路線和擴產計劃。

此次多家廠商同步推進 High-NA 計劃，表明行業對下一代光刻技術的採用正在從觀望轉向實質落地。儘管 High-NA 裝置成本高昂且技術挑戰巨大，但 AI 晶片對更高效能、更低功耗的需求，正推動廠商加速佈局。光罩格式的轉變（從 6 英寸到 12 英寸）是提高生產效率和降低成本的關鍵一步，有望為 High-NA 系統的大規模應用鋪平道路。

從產業鏈角度看，ASML 的 High-NA 裝置若如期量產，將帶動上游光學元件、精密機械等供應鏈需求，同時影響下游晶圓代工廠的資本開支節奏。對於 AI 晶片設計公司而言，更先進的光刻技術意味著更小的製程節點和更高的晶片效能，有助於滿足大模型訓練和推理的算力需求。

市場方面，ASML 股價的上漲反映了投資者對 High-NA 技術商業化前景的樂觀預期。不過，該技術的實際量產時間表、良率表現以及客戶採用進度仍存在不確定性，後續進展值得持續關注。