中國DRAM領軍企業長鑫儲存（CXMT）據報已啟動HBM3E記憶體的風險量產，這是中國儲存產業在高階記憶體領域的一次關鍵突破。據The Information報道，儘管長鑫在技術上仍落後於正在量產HBM4的三大儲存巨頭（三星、SK海力士、美光）一代，但能跨過HBM3E這道門檻，本身就說明其技術進步速度相當快。

HBM（高頻寬記憶體）是AI加速器不可或缺的元件，其製造難度遠高於普通DRAM。長鑫不僅要造出有競爭力的DRAM晶粒，還要攻克高良率堆疊、矽通孔（TSV）、精細互連、散熱管理、封裝和測試等一系列工藝。能進入風險量產階段，意味著中國儲存生態已不只是生產大宗DRAM，而是開始向更復雜的先進封裝和高階記憶體邁進。

目前長鑫HBM3E的具體規格尚未公開，風險量產階段的樣品引數可能與最終量產版有所不同。不過，JEDEC標準對HBM3E有明確定義：1024位記憶體介面、單引腳最高9.6 GT/s傳輸速率、可堆疊8層或12層DRAM。按不同速度等級，HBM3E可提供最高約1.228 TB/s的記憶體頻寬；若採用24Gb DRAM顆粒，8層堆疊可提供24GB容量，12層堆疊則達36GB。即便落後HBM4一代，HBM3E仍能提供數TB/s的頻寬，足以支撐高效能AI加速器。

據該報道，多家中國先進處理器開發商已在評估長鑫的HBM3E與自家晶片的搭配，其中包括阿里巴巴旗下的平頭哥和寒武紀。如果測試和認證按計劃推進，這些公司最早明年就可能在其商業產品中使用長鑫的HBM3E。

長鑫量產HBM3E的意義不止於產品本身。首先，HBM是AI硬體的關鍵部件，若長鑫的HBM3E能通過寒武紀、平頭哥等國產晶片的認證，中國在構建高效能AI硬體時對美光、三星、SK海力士的依賴將明顯降低。其次，許多國產AI加速器開發商並不一定需要HBM4/HBM4E才能做出有用的AI系統，HBM3E的頻寬已足夠。第三，HBM製造難度大，長鑫能實現風險量產，證明其技術能力已超越普通DRAM範疇。

此外，這一進展還有重要的地緣政治含義。出口管制限制了中國的先進AI處理器和HBM獲取渠道，而國產加速器、長鑫HBM3E加上先進封裝技術的組合，意味著中國在半導體自給自足的道路上又近了一步。

值得注意的是，每個HBM封裝都需要多塊大尺寸DRAM晶粒，HBM產量提升會消耗大量DRAM產能，長鑫激進的產能擴張計劃在此刻顯得尤為重要。不過，從風險量產到大規模量產仍有距離，報道稱長鑫可能要到2027年才能實現HBM3E的大規模生產。