中国DRAM领军企业长鑫存储（CXMT）据报已启动HBM3E内存的风险量产，这是中国存储产业在高端内存领域的一次关键突破。据The Information报道，尽管长鑫在技术上仍落后于正在量产HBM4的三大存储巨头（三星、SK海力士、美光）一代，但能跨过HBM3E这道门槛，本身就说明其技术进步速度相当快。

HBM（高带宽内存）是AI加速器不可或缺的组件，其制造难度远高于普通DRAM。长鑫不仅要造出有竞争力的DRAM晶粒，还要攻克高良率堆叠、硅通孔（TSV）、精细互连、散热管理、封装和测试等一系列工艺。能进入风险量产阶段，意味着中国存储生态已不只是生产大宗DRAM，而是开始向更复杂的先进封装和高端内存迈进。

目前长鑫HBM3E的具体规格尚未公开，风险量产阶段的样品参数可能与最终量产版有所不同。不过，JEDEC标准对HBM3E有明确定义：1024位内存接口、单引脚最高9.6 GT/s传输速率、可堆叠8层或12层DRAM。按不同速度等级，HBM3E可提供最高约1.228 TB/s的内存带宽；若采用24Gb DRAM颗粒，8层堆叠可提供24GB容量，12层堆叠则达36GB。即便落后HBM4一代，HBM3E仍能提供数TB/s的带宽，足以支撑高性能AI加速器。

据该报道，多家中国先进处理器开发商已在评估长鑫的HBM3E与自家芯片的搭配，其中包括阿里巴巴旗下的平头哥和寒武纪。如果测试和认证按计划推进，这些公司最早明年就可能在其商业产品中使用长鑫的HBM3E。

长鑫量产HBM3E的意义不止于产品本身。首先，HBM是AI硬件的关键部件，若长鑫的HBM3E能通过寒武纪、平头哥等国产芯片的认证，中国在构建高性能AI硬件时对美光、三星、SK海力士的依赖将明显降低。其次，许多国产AI加速器开发商并不一定需要HBM4/HBM4E才能做出有用的AI系统，HBM3E的带宽已足够。第三，HBM制造难度大，长鑫能实现风险量产，证明其技术能力已超越普通DRAM范畴。

此外，这一进展还有重要的地缘政治含义。出口管制限制了中国的先进AI处理器和HBM获取渠道，而国产加速器、长鑫HBM3E加上先进封装技术的组合，意味着中国在半导体自给自足的道路上又近了一步。

值得注意的是，每个HBM封装都需要多块大尺寸DRAM晶粒，HBM产量提升会消耗大量DRAM产能，长鑫激进的产能扩张计划在此刻显得尤为重要。不过，从风险量产到大规模量产仍有距离，报道称长鑫可能要到2027年才能实现HBM3E的大规模生产。