高盛在2026年8月23日釋出的研究報告中，大幅上調了未來三年全球晶圓廠裝置（WFE）支出預測，將2026至2028年的市場規模預期分別提升至1500億、2180億及2810億美元，同比增速預期分別上調至36%、45%和29%，較此前預測的32%、32%和12%顯著提升。報告指出，第二季度財報季披露的半導體資本開支資料普遍超預期，疊加裝置供應商給出更為樂觀的前景展望，共同驅動了此次預測修正。高盛維持對半導體裝置板塊的整體看多立場，認為更高的資本開支預期意味著裝置廠商訂單能見度持續改善，行業景氣週期有望延續至2028年。
在代工領域，高盛將2026至2028年WFE預測分別上調至580億、840億及1090億美元，對應同比增速分別為45%、45%及30%，均較此前預測的30%、30%及16%大幅提升。驅動力主要來自台積電，高盛在本次更新中將台積電2026至2028年每年資本開支預測各上調80億美元，理由是N2製程的裝置投入強度高於預期，且客戶需求持續旺盛。隨著N2製程在未來數個季度進入量產爬坡階段，代工領域WFE動能將持續強勁，先進邏輯製程是核心驅動來源。
DRAM領域的上調幅度同樣突出。高盛將2026至2028年DRAM WFE預測分別上調至480億、720億及970億美元，同比增速分別為50%、50%及35%，較此前預測的45%、45%及10%均有提升，其中2028年增速預期提升幅度最為顯著。分析師Giuni Lee將三星電子2026至2028年平均DRAM資本開支預測上調22%，SK海力士上調19%。儘管行業整體支出大幅增加，但DRAM供給將持續偏緊，產能約束狀態預計延續至2028年，節點製程遷移及向HBM4升級是支撐這一判斷的核心邏輯。
相較於DRAM和代工，NAND領域的預測調整較為溫和，且方向有所分化。高盛將2026年NAND WFE預測從110億美元基本持平，2027年從170億美元下調至150億美元，2028年則從200億美元上調至220億美元。NAND近期增量支出將以升級改造為主，而非大規模新增產能，這一策略將支撐供給維持偏緊格局至2027年，2028年支出加速則反映出更長週期維度的產能擴張預期。
邏輯及其他領域的預測上調幅度在中長期維度尤為突出。高盛將2026至2028年Logic/Other WFE預測分別上調至340億、470億及530億美元，其中2027年預測較此前的350億美元上調34%，2028年較此前的370億美元上調43%。兩大因素驅動這一上調：其一，英特爾需求好於預期，帶動相關資本開支預測上修；其二，尾端製程及模擬晶片市場正在復甦。此外，SpaceX與特斯拉已就Terafab專案初始階段合計承諾約168億美元投入，相關支出已被納入Logic/Other預測，構成該細分領域中期增長的重要增量來源。
總體來看，高盛此次大幅上調WFE預測，折射出半導體資本開支週期正加速向上突破，儲存（DRAM）與先進代工成為主要增長引擎，而NAND和邏輯領域的調整則反映了不同細分市場的差異化供需格局。對於AI產業投資者而言，裝置支出預期的上調意味著上游算力基礎設施建設的資本開支強度將持續維持高位，相關裝置供應商的訂單能見度有望改善。