中國自主研發的浸沒式DUV光刻機已進入小批次生產階段，今年計劃生產約5台，2027年目標約20台。這一訊息來自7月27日的一份報告，曾導致ASML市值蒸發約440億美元。次日，路透社確認製造商為上海埃斯納電子科技集團，這是一家成立於2023年8月的國有企業，註冊資本70億元人民幣（約10億美元），整合了華為關聯初創公司玉亮升和國有掃描儀制造商SMEE的工程團隊。首批裝置預計今年交付給中芯國際、華虹和長鑫儲存，用於生產線驗證而非量產，但裝置效能與ASML仍有較大差距，需進一步測試。

5台裝置僅佔ASML通常每年部署約130台浸沒式系統的3.8%，而ASML在浸沒式光刻市場佔據約98.7%的份額。據稱，中國裝置單次曝光可列印28奈米級特徵，通過多重曝光可達7奈米，理論上可至5奈米，這與中芯國際現有ASML機隊的工藝路線相同。然而，兩家公司均未證實該報告，裝置尚未公開展示，也未披露吞吐量或套刻精度資料，而ASML當前旗艦浸沒式工具的引數為每小時330片晶圓、套刻精度2.5奈米。

中芯國際自去年9月起已在執行代號為“珠穆朗瑪峰”的國產浸沒式掃描器，當時《金融時報》報道稱，這家中國最大代工廠已開始測試玉亮升的工具，並計劃在2027年完成認證後整合生產線。FT將該裝置與ASML 2008年推出的Twinscan NXT:1950i相比，顯示其設計落後於ASML當前銷售的工具約15年。玉亮升於2022年在上海成立，註冊資本10億元人民幣（約1.49億美元），據信去年底已向晶圓廠交付三台光刻機進行測試，但未獲官方確認。

關鍵部件仍依賴日本進口，本地供應商的延遲限制了2026年產量在5台左右。因此，2027年20台的目標相當激進，前提是尚未建立的本地零部件供應鏈，且進口部件仍受未來出口管制的影響。

SMEE最先進的在售產品仍是SSA600系列，一款90奈米級乾式ArF掃描器，去年5月已量產。該公司2023年宣佈的28奈米級SSA/800浸沒式工具從未部署，官方媒體聲稱其開發成功的報道也在釋出後不久被刪除。去年12月，SMEE贏得了一份約1.1億元人民幣（約1600萬美元）的單一來源政府合同，用於110奈米解析度、15奈米套刻精度的KrF掃描器，這反映了其當前量產能力。

據中國半導體行業協會資料，2025年國產裝置佔中國晶圓廠採購的35%，超過北京30%的目標，而三年前約為10%。刻蝕和薄膜沉積本地化率超過40%，計量達25%，而光刻僅18%，且多數集中在成熟製程和封裝工具。自2025年底起，新增晶圓廠產能要求至少50%裝置來自國內，這保證了新掃描器無論效能如何都有客戶基礎。

北方華創2025年銷售額成為全球第五大晶片裝置製造商，僅次於ASML、應用材料、泛林和東京電子，超越KLA。該公司2025年前三季度營收271.4億元人民幣（約40億美元），而2020年全年為60.5億元人民幣（約5.89億美元），訂單積壓至2027年，並首次開始開發光刻工具。中微公司2025年營收和淨利潤增長超30%，清洗專家ACM Research 2025財年營收9.013億美元，並預計2026年最高達11.8億美元。與華為關聯的深圳新凱來在2025年3月SEMICON China上展出約30款工具，涵蓋刻蝕、沉積、計量和測試，據報道2025年9月估值達650億元人民幣（約96.3億美元），訂單超100億元人民幣（約14.8億美元）。美國於2024年12月將其列入實體清單。

行業領導層對現狀並不樂觀。3月，中芯國際聯合創始人王陽元、長江儲存、北方華創和EDA公司華大九天負責人共同稱中國工具行業“小而散、弱”，呼籲國家整合，大基金三期475億美元正轉向光刻和EDA。埃斯納合資企業合併玉亮升和SMEE團隊，正是這一整合壓力的產物。據SEMI資料，2024年中國晶圓廠裝置支出創紀錄達495億美元，並將在2027年前保持全球最大買家地位，儘管2025年有所回落。

在EUV方面，路透社2025年12月調查稱，深圳一個高安全實驗室中已有一台可執行的EUV光源原型機，於2025年初完成，能產生EUV光子但尚未曝光晶圓。該專案據稱有超過3000名研究人員參與，華為擔任協調角色，SMEE負責系統整合。