有评论文章提出，全球晶圆制造设备（WFE）支出在 2026 年预计达到创纪录的 1352 亿美元，较 2025 年的 1157 亿美元增长约 16.9%。文章认为，比整体增速更值得关注的是支出结构的变化：这一轮设备周期不再主要由台积电的先进逻辑产能驱动，而是由三星电子、美光科技和 SK 海力士同步加码先进 DRAM、高带宽内存（HBM）、NAND、洁净室与先进封装所推动，内存由此成为设备市场中增长最快的主要板块。
文章引用其表格数据称，在整体支出中，300mm DRAM 设备支出预计增长 29% 至 370 亿美元，300mm 3D NAND 设备支出预计增长 28% 至 140 亿美元；逻辑、代工及其他设备仍是最大类别，约 842 亿美元，但 10.6% 的预计增速明显低于 DRAM 和 NAND。文章认为，DRAM 与 NAND 合计约 510 亿美元的设备支出，并非对 HBM 短缺的短期应激反应：内存厂商需要新增洁净室基础设施、把现有产能转换为更先进制程，并加装刻蚀、沉积、光刻、检测与量测设备。HBM 因芯片面积更大、工序更多、需堆叠多颗内存裸片，单位出货所消耗的晶圆产能高于传统 DRAM，因此 HBM 出货增加会不成比例地放大对制造设备的需求。
在这一逻辑下，文章点名三家设备供应商，并给出各自的受益路径与风险。
Lam Research 被文章列为最直接受益者。其刻蚀与沉积系统广泛用于 DRAM 和 NAND 制造，且随着内存结构复杂化而愈发关键：先进 NAND 需要在数百层材料中刻出极深极窄的通道，层数越多、刻蚀难度越大，文章称 Lam 在高深宽比应用上建立了较强的竞争地位。先进 DRAM 与 HBM 则带来另一重增长，厂商须引入更复杂的沉积、刻蚀与清洗工序，并在整片晶圆上控制极小的结构，这抬高了单位产能所需的 Lam 设备量。文章援引数据称，Lam 公布创纪录的 6 月季度营收 67.2 亿美元，2026 财年营收约 232.3 亿美元，高于 2025 财年的 184.4 亿美元；公司近期还把季度股息上调 27%，由每股 0.26 美元提高至 0.33 美元。文章同时提示，Lam 的内存杠杆是双向的：若厂商最终扩产过度，内存价格走弱可能令资本支出大幅回落；但就目前而言，客户投资中有相当部分用于洁净室、先进制程与技术转换，而非无差别地增加大宗产能。
KLA 的位置有所不同。文章认为，它并不那么依赖内存晶圆产出数量，而是受益于每片晶圆在可接受良率下制造难度的上升。其检测与量测系统在制造全流程中识别缺陷、测量关键尺寸，随着半导体结构缩小、内存堆叠增高、先进封装把越来越昂贵的逻辑与 HBM 组件组合在一起，这类能力价值更高——一个原本可能只毁掉一颗相对廉价传统芯片的小缺陷，如今可能毁掉一个包含领先制程处理器、多颗 HBM 堆叠与先进封装的 AI 封装件。
ASML 则被文章描述为在光刻领域保持无可匹敌的地位，因而同样处于这轮资本开支扩张的受益链条之中。文章强调，三家公司受益于同一轮资本开支扩张，但各自的敞口、竞争位置与投资风险差异显著。
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