有評論文章提出，全球晶圓製造裝置（WFE）支出在 2026 年預計達到創紀錄的 1352 億美元，較 2025 年的 1157 億美元增長約 16.9%。文章認為，比整體增速更值得關注的是支出結構的變化：這一輪裝置週期不再主要由台積電的先進邏輯產能驅動，而是由三星電子、美光科技和 SK 海力士同步加碼先進 DRAM、高頻寬記憶體（HBM）、NAND、潔淨室與先進封裝所推動，記憶體由此成為裝置市場中增長最快的主要板塊。

文章引用其表格資料稱，在整體支出中，300mm DRAM 裝置支出預計增長 29% 至 370 億美元，300mm 3D NAND 裝置支出預計增長 28% 至 140 億美元；邏輯、代工及其他裝置仍是最大類別，約 842 億美元，但 10.6% 的預計增速明顯低於 DRAM 和 NAND。文章認為，DRAM 與 NAND 合計約 510 億美元的裝置支出，並非對 HBM 短缺的短期應激反應：記憶體廠商需要新增潔淨室基礎設施、把現有產能轉換為更先進製程，並加裝刻蝕、沉積、光刻、檢測與量測裝置。HBM 因芯片面積更大、工序更多、需堆疊多顆記憶體裸片，單位出貨所消耗的晶圓產能高於傳統 DRAM，因此 HBM 出貨增加會不成比例地放大對製造裝置的需求。

在這一邏輯下，文章點名三家裝置供應商，並給出各自的受益路徑與風險。

Lam Research 被文章列為最直接受益者。其刻蝕與沉積系統廣泛用於 DRAM 和 NAND 製造，且隨著記憶體結構複雜化而愈發關鍵：先進 NAND 需要在數百層材料中刻出極深極窄的通道，層數越多、刻蝕難度越大，文章稱 Lam 在高深寬比應用上建立了較強的競爭地位。先進 DRAM 與 HBM 則帶來另一重增長，廠商須引入更復雜的沉積、刻蝕與清洗工序，並在整片晶圓上控制極小的結構，這抬高了單位產能所需的 Lam 裝置量。文章援引資料稱，Lam 公佈創紀錄的 6 月季度營收 67.2 億美元，2026 財年營收約 232.3 億美元，高於 2025 財年的 184.4 億美元；公司近期還把季度股息上調 27%，由每股 0.26 美元提高至 0.33 美元。文章同時提示，Lam 的記憶體槓桿是雙向的：若廠商最終擴產過度，記憶體價格走弱可能令資本支出大幅回落；但就目前而言，客戶投資中有相當部分用於潔淨室、先進製程與技術轉換，而非無差別地增加大宗產能。

KLA 的位置有所不同。文章認為，它並不那麼依賴記憶體晶圓產出數量，而是受益於每片晶圓在可接受良率下製造難度的上升。其檢測與量測系統在製造全流程中識別缺陷、測量關鍵尺寸，隨著半導體結構縮小、記憶體堆疊增高、先進封裝把越來越昂貴的邏輯與 HBM 元件組合在一起，這類能力價值更高——一個原本可能只毀掉一顆相對廉價傳統晶片的小缺陷，如今可能毀掉一個包含領先製程處理器、多顆 HBM 堆疊與先進封裝的 AI 封裝件。

ASML 則被文章描述為在光刻領域保持無可匹敵的地位，因而同樣處於這輪資本開支擴張的受益鏈條之中。文章強調，三家公司受益於同一輪資本開支擴張，但各自的敞口、競爭位置與投資風險差異顯著。

需要說明的是，上述內容屬於該評論文章的觀點與資料引用，其中涉及的支出預測、公司財務資料與個股判斷均來自原文作者，不代表本站立場，也不構成任何投資指引。