NAND闪存堆叠层数突破300层后，传统钨材料面临瓶颈，三星、美光、SK海力士等存储巨头开始转向钼。三星已实现量产，美光跟进，SK海力士计划在下一代375层NAND中采用。

随着闪存堆叠层数增加，内部连接用的钨材料难以满足性能需求，钼因其更优的电学特性成为替代方案。这一转变不仅涉及材料本身，还带来新的设备和工艺需求。SemiAnalysis预计，到2027年，仅NAND钼沉积设备销售额就可能超过10亿美元。

钼的应用可能不止于NAND，未来还可能扩展到DRAM和先进逻辑芯片领域。对于半导体设备供应商和材料厂商而言，这或将成为新的增长点。