NAND快閃記憶體堆疊層數突破300層後，傳統鎢材料面臨瓶頸，三星、美光、SK海力士等儲存巨頭開始轉向鉬。三星已實現量產，美光跟進，SK海力士計劃在下一代375層NAND中採用。

隨著快閃記憶體堆疊層數增加，內部連線用的鎢材料難以滿足效能需求，鉬因其更優的電學特性成為替代方案。這一轉變不僅涉及材料本身，還帶來新的裝置和工藝需求。SemiAnalysis預計，到2027年，僅NAND鉬沉積裝置銷售額就可能超過10億美元。

鉬的應用可能不止於NAND，未來還可能擴充套件到DRAM和先進邏輯晶片領域。對於半導體裝置供應商和材料廠商而言，這或將成為新的增長點。