AI对存储需求的拉动已传导至产能规划端。全球利基型存储IDM龙头华邦电子宣布，提前启动中国台湾高雄路竹厂的扩产计划，将原定分期推进的二、三期工程整并为Module B工厂同步开发。据台湾工商时报报道，该厂预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初开始装机。目前已有客户提前洽谈2029年、2030年的产能配额，显示需求紧迫性已超出原有时程。
这一决策的直接背景是代理式AI（Agentic AI）对存储容量与先进封装需求的持续拉动。机构人士指出，相关成长趋势预期将延续相当长时间，这正是华邦电子决定提前启动Module B计划的直接原因。存储行业此前经历多年低迷，如今在AI带动下量价齐升，产能规划不得不提前锁定。
业绩数据印证了景气度。华邦电子第二季合并营收达598.43亿元新台币，季增56.4%，年增184.7%。涨价是核心驱动力：DRAM价格单季上涨约100%，Flash上涨约43%。毛利率随之升至66.2%，每股税后纯益（EPS）达5.40元。进入第三季，涨势仍在延续。据工商时报援引机构人士预计，利基型DRAM与SLC NAND均呈供不应求，价格季涨幅约50%；NOR Flash受云端服务供应商（CSP）大客户积极备货拉动，价格季涨幅约30%。第四季涨幅预计收窄至2%至5%，但机构人士认为，受益于DRAM产能增加及出货量成长，华邦电子营收与获利仍可维持季增走势。
从产品规划看，Module B工厂全面对准AI需求。其产品覆盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap），并支持14纳米及未来12纳米DRAM制程，后续亦规划导入EUV设备。这一布局的逻辑清晰：AI推动存储向更高密度、更先进封装演进，华邦电子需要提前锁定制程与产能，才能在客户需求兑现时不落后于市场。设备导入将依客户需求预测（Forecast）及长期协议（LTA）分阶段推进，而非一次性满产，以控制资本支出节奏。
矽电容（Si-Cap）是此次布局中值得单独关注的一块。机构人士将其视为华邦电子在逻辑（Logic）与存储（Memory）之外的“第三股潜在成长动能”。华邦电子已投入约40亿元新台币建置专用Si-Cap产线。目前量产产品的电容密度约为3,300 nF/mm²，最新样品已达约5,400 nF/mm²，主要面向AI先进封装及AI电源管理应用。报道预计，最快2027年第一季底步入量产。Si-Cap的逻辑在于：AI芯片对电源稳定性要求极高，矽电容可在封装层面提供更高密度的电源去耦，是先进封装不可或缺的配套器件。华邦电子提前布局，意在卡位这一新兴需求。
对产业链而言，华邦电子的扩产信号表明，AI对存储的需求已从数据中心主存储向利基型、先进封装等更细分领域扩散。存储涨价周期能否延续，取决于AI应用的实际落地节奏与产能释放速度。华邦电子通过提前扩产和产品线升级，试图在需求兑现时占据有利位置，但资本支出节奏仍需平衡市场波动风险。