AI對儲存需求的拉動已傳導至產能規劃端。全球利基型儲存IDM龍頭華邦電子宣佈，提前啟動中國台灣高雄路竹廠的擴產計劃，將原定分期推進的二、三期工程整併為Module B工廠同步開發。據台灣工商時報報道，該廠預計2027年動工興建無塵室，最快2029年初開始裝機。目前已有客戶提前洽談2029年、2030年的產能配額，顯示需求緊迫性已超出原有時程。
這一決策的直接背景是代理式AI（Agentic AI）對儲存容量與先進封裝需求的持續拉動。機構人士指出，相關成長趨勢預期將延續相當長時間，這正是華邦電子決定提前啟動Module B計劃的直接原因。儲存行業此前經歷多年低迷，如今在AI帶動下量價齊升，產能規劃不得不提前鎖定。
業績資料印證了景氣度。華邦電子第二季合併營收達598.43億元新台幣，季增56.4%，年增184.7%。漲價是核心驅動力：DRAM價格單季上漲約100%，Flash上漲約43%。毛利率隨之升至66.2%，每股稅後純益（EPS）達5.40元。進入第三季，漲勢仍在延續。據工商時報援引機構人士預計，利基型DRAM與SLC NAND均呈供不應求，價格季漲幅約50%；NOR Flash受雲端服務供應商（CSP）大客戶積極備貨拉動，價格季漲幅約30%。第四季漲幅預計收窄至2%至5%，但機構人士認為，受益於DRAM產能增加及出貨量成長，華邦電子營收與獲利仍可維持季增走勢。
從產品規劃看，Module B工廠全面對準AI需求。其產品覆蓋Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），並支援14奈米及未來12奈米DRAM製程，後續亦規劃匯入EUV裝置。這一佈局的邏輯清晰：AI推動儲存向更高密度、更先進封裝演進，華邦電子需要提前鎖定製程與產能，才能在客戶需求兌現時不落後於市場。裝置匯入將依客戶需求預測（Forecast）及長期協議（LTA）分階段推進，而非一次性滿產，以控制資本支出節奏。
矽電容（Si-Cap）是此次佈局中值得單獨關注的一塊。機構人士將其視為華邦電子在邏輯（Logic）與儲存（Memory）之外的“第三股潛在成長動能”。華邦電子已投入約40億元新台幣建置專用Si-Cap產線。目前量產產品的電容密度約為3,300 nF/mm²，最新樣品已達約5,400 nF/mm²，主要面向AI先進封裝及AI電源管理應用。報道預計，最快2027年第一季底步入量產。Si-Cap的邏輯在於：AI晶片對電源穩定性要求極高，矽電容可在封裝層面提供更高密度的電源去耦，是先進封裝不可或缺的配套器件。華邦電子提前佈局，意在卡位這一新興需求。
對產業鏈而言，華邦電子的擴產訊號表明，AI對儲存的需求已從資料中心主儲存向利基型、先進封裝等更細分領域擴散。儲存漲價週期能否延續，取決於AI應用的實際落地節奏與產能釋放速度。華邦電子通過提前擴產和產品線升級，試圖在需求兌現時佔據有利位置，但資本支出節奏仍需平衡市場波動風險。