SK海力士宣布将扩大DRAM和NAND的生产基地，并根据客户需求增加产能。公司表示，龙仁工厂将生产HBM及其他下一代DRAM产品，龙仁第一期工厂的无尘室将于明年2月启用。

这一扩产计划正值AI算力需求持续攀升之际，高带宽内存（HBM）作为AI加速器的关键配套元件，其产能扩张对产业链上下游均有影响。SK海力士作为全球主要的存储芯片供应商之一，其产能调整往往被视为存储市场景气度的风向标。

龙仁工厂的定位明确指向下一代DRAM和HBM，这表明公司正为AI驱动的存储需求增长做准备。无尘室的启用是晶圆厂投产前的重要节点，明年2月的时间点意味着该工厂的产能释放可能在未来一年内逐步落地。

从产业角度看，存储芯片的扩产有助于缓解AI服务器对HBM的供应压力，但也可能影响DRAM和NAND的供需平衡。对于投资者而言，SK海力士的产能扩张节奏值得关注，因为它关系到存储芯片的价格走势和AI硬件成本的变动。