周二美股早盘，存储芯片股集体大涨，SanDisk（SNDK）领涨，股价上涨8%至1393美元；美光科技（MU）上涨6%至880美元；SK海力士上涨4%至148美元。此外，西部数据（WDC）上涨3%至542美元，希捷科技（STX）上涨1%至842美元，Roundhill内存ETF上涨5%至54美元。纳斯达克100指数整体走强，为半导体板块提供支撑。

此轮上涨的直接催化剂是SanDisk与SK海力士联合发布的高带宽闪存（HBF）行业标准。该标准通过开放计算项目（OCP）推出，基于UCIe开放架构，利用高速NAND闪存桥接高速但容量小的HBM与低速但大容量的SSD，有望让AI内存层级在多家芯片厂商间协同工作，从而扩大闪存供应商的市场空间。

华尔街多家机构随即上调评级或目标价。RBC Capital分析师Srini Pajjuri首次覆盖SK海力士，给予跑赢大盘评级，目标价200美元，理由是内存上行周期将持续至2027年。Stifel给予买入评级，目标价240美元，称DRAM对AI硬件至关重要；William Blair也首次覆盖并给予跑赢大盘评级，指出供应紧张已使AI内存价格大约上涨三倍。

基本面数据支撑了看涨情绪。美光最近一个季度营收达414.6亿美元，同比增长345.7%，非GAAP毛利率为84.9%。SanDisk数据中心部门营收为14.7亿美元，同比增长645%，显示NAND闪存正从大宗商品转变为AI关键资产。美光CEO Sanjay Mehrotra表示，创纪录的第三财季业绩和更强劲的第四财季展望反映了内存AI时代的战略价值。

硬盘制造商也同步上涨。西部数据在财报公布前走高，希捷在公布创纪录的2026财年自由现金流31亿美元并指引2027财年第一季度营收41亿美元后股价上涨。两者都受益于AI工作负载产生数据需要存储的主题。

Roundhill内存ETF前三大持仓为三星电子（25%）、SK海力士（24.2%）和美光（23.8%），集中度高，既放大内存上行周期收益，也缺乏分散化。估值方面，SanDisk市盈率（TTM）为47.77倍，美光为19.74倍，SK海力士为20.29倍，西部数据为33.94倍，希捷为64.15倍，DRAM ETF为24.22倍。分析师共识目标价方面，美光为1522.26美元（31个买入、9个强烈买入），SanDisk为2217.77美元（15个买入、3个强烈买入）。

此轮反弹也包含超跌反弹因素。上月内存股大幅回调，美光创2005年以来最差单月表现，SanDisk过去一个月下跌26%，美光下跌15%。预测市场Polymarket显示，美光今日收涨概率为90.5%，8月收于800美元以上的概率为65.5%。SanDisk和西部数据计划于8月5日盘后公布财报，投资者将关注涨势能否延续以及财报对内存叙事的影响。