SK集團會長崔泰源在紐約接受CNBC採訪時，為SK海力士赴美建設儲存晶片前端晶圓廠打開了大門。這是該公司迄今為止對美國本土生產儲存晶片最明確的官方表態，也標誌著圍繞全球最大高頻寬儲存晶片（HBM）供應商的投資爭奪進入新階段。

崔泰源於當地時間10日表示，SK海力士正在全球範圍內進行盡職調查以尋找合適生產基地，美國是候選地點之一。但他同時設定了明確前提條件：電力、純淨水源、土地、勞動力以及能夠支撐供應鏈的產業生態缺一不可。這番表態發生在美國商務部長Howard Lutnick公開施壓後僅一天——Lutnick在密歇根州美光半導體工廠活動上點名要求三星電子和SK海力士赴美建設生產設施，並稱“美光打響頭陣，競爭對手終將別無選擇，只能跟進”。

美方推動本土儲存晶片產能擴張的意圖已十分清晰。美光同日宣佈將2035年前在美投資規模擴大至2500億美元，並計劃在美生產全球40%的DRAM。分析人士認為，這一公告時機恰在SK海力士納斯達克上市前一日，是針對HBM市場競爭者的明確訊號。在特朗普政府實現全球40%半導體產能在美生產的目標框架下，三星電子和SK海力士被視為重點爭取物件。

崔泰源此次鬆口並非無的放矢。SK海力士目前在美唯一實質性投資是位於印第安納州西拉法葉市的先進封裝基地，投資規模約38.7億美元，計劃2028年投產，負責HBM與AI加速器的互聯封裝。若在此基礎上再建前端晶圓廠，SK海力士在美供應鏈將從封裝延伸至全棧生產，所需投入規模料以數十兆韓元計。

然而赴美建廠面臨現實障礙。勞動力成本和建設成本遠高於韓國，材料、零部件及裝置配套體系相對薄弱，同等規模工廠所需投入的成本和時間將顯著高於在韓建廠。與此同時，SK海力士已鎖定龐大國內投資計劃——圍繞龍仁半導體叢集、清州及湖南地區打造總規模達1100兆韓元的AI儲存生產帶。三星電子亦規劃了2030兆韓元的平澤-龍仁叢集投資。兩家企業合計投資規模約達4500兆韓元（約合3萬億美元），本土與美國之間的有限資本分配之爭將趨於激烈。

在表態赴美建廠可能性的同時，SK海力士CEO郭魯正在納斯達克上市當日接受採訪時對儲存供給短缺發出預警。他指出，從供應端看，明年將是行業史上最艱難的一年，供給短缺狀況可能延續至2030年之後。據彭博援引其表態，全球儲存行業正走向有史以來最嚴峻的供給短缺，峰值預計出現在2027年。市場研究機構TrendForce資料顯示，今年二季度通用DRAM和NAND快閃記憶體價格分別環比上漲58%至63%和55%至60%，三季度預計繼續上漲。KB證券研究主管預計，2027年DRAM和NAND需求增速將分別達17%和19%，而晶圓產能增速預計僅為7%和4%，供需缺口將進一步擴大。

崔泰源本人也對HBM需求降溫的擔憂予以正面駁斥，明確表示“HBM市場收縮的跡象根本不存在”，並透露客戶不僅要求雙倍的HBM供貨量，連傳統DRAM的訂單量亦在翻倍。據韓國媒體報道，客戶甚至要求SK海力士將供應量擴大至現有水平的五至六倍。

SK海力士剛完成迄今為止外國企業在美最大規模IPO，融資265億美元，上市首日收盤市值達1.2萬億美元，超越美光和AMD。今年一季度，SK海力士以58.1%的市佔率領跑全球HBM市場。崔泰源還勾勒了SK集團在美AI產業的更宏觀投資圖景，預計在AI、AI資料中心及相關技術方面的投資將達到“至少數百億美元”，並正在探索與合作伙伴開展多種形式的AI業務合資合作。

在美方財稅補貼與潛在半導體關稅的雙重槓桿下，SK海力士的最終選址決策不僅關乎其自身全球產能佈局，也將牽動HBM供應鏈的地緣格局。韓國業界已開始呼籲政府出台更明確的稅收支援和補貼政策以應對美國壓力，而投資者在關注產能擴張的同時，也需警惕儲存行業高度週期性帶來的波動風險。