SK集团会长崔泰源在纽约接受CNBC采访时，为SK海力士赴美建设存储芯片前端晶圆厂打开了大门。这是该公司迄今为止对美国本土生产存储芯片最明确的官方表态，也标志着围绕全球最大高带宽存储芯片（HBM）供应商的投资争夺进入新阶段。

崔泰源于当地时间10日表示，SK海力士正在全球范围内进行尽职调查以寻找合适生产基地，美国是候选地点之一。但他同时设定了明确前提条件：电力、纯净水源、土地、劳动力以及能够支撑供应链的产业生态缺一不可。这番表态发生在美国商务部长Howard Lutnick公开施压后仅一天——Lutnick在密歇根州美光半导体工厂活动上点名要求三星电子和SK海力士赴美建设生产设施，并称“美光打响头阵，竞争对手终将别无选择，只能跟进”。

美方推动本土存储芯片产能扩张的意图已十分清晰。美光同日宣布将2035年前在美投资规模扩大至2500亿美元，并计划在美生产全球40%的DRAM。分析人士认为，这一公告时机恰在SK海力士纳斯达克上市前一日，是针对HBM市场竞争者的明确信号。在特朗普政府实现全球40%半导体产能在美生产的目标框架下，三星电子和SK海力士被视为重点争取对象。

崔泰源此次松口并非无的放矢。SK海力士目前在美唯一实质性投资是位于印第安纳州西拉法叶市的先进封装基地，投资规模约38.7亿美元，计划2028年投产，负责HBM与AI加速器的互联封装。若在此基础上再建前端晶圆厂，SK海力士在美供应链将从封装延伸至全栈生产，所需投入规模料以数十兆韩元计。

然而赴美建厂面临现实障碍。劳动力成本和建设成本远高于韩国，材料、零部件及设备配套体系相对薄弱，同等规模工厂所需投入的成本和时间将显著高于在韩建厂。与此同时，SK海力士已锁定庞大国内投资计划——围绕龙仁半导体集群、清州及湖南地区打造总规模达1100兆韩元的AI存储生产带。三星电子亦规划了2030兆韩元的平泽-龙仁集群投资。两家企业合计投资规模约达4500兆韩元（约合3万亿美元），本土与美国之间的有限资本分配之争将趋于激烈。

在表态赴美建厂可能性的同时，SK海力士CEO郭鲁正在纳斯达克上市当日接受采访时对存储供给短缺发出预警。他指出，从供应端看，明年将是行业史上最艰难的一年，供给短缺状况可能延续至2030年之后。据彭博援引其表态，全球存储行业正走向有史以来最严峻的供给短缺，峰值预计出现在2027年。市场研究机构TrendForce数据显示，今年二季度通用DRAM和NAND闪存价格分别环比上涨58%至63%和55%至60%，三季度预计继续上涨。KB证券研究主管预计，2027年DRAM和NAND需求增速将分别达17%和19%，而晶圆产能增速预计仅为7%和4%，供需缺口将进一步扩大。

崔泰源本人也对HBM需求降温的担忧予以正面驳斥，明确表示“HBM市场收缩的迹象根本不存在”，并透露客户不仅要求双倍的HBM供货量，连传统DRAM的订单量亦在翻倍。据韩国媒体报道，客户甚至要求SK海力士将供应量扩大至现有水平的五至六倍。

SK海力士刚完成迄今为止外国企业在美最大规模IPO，融资265亿美元，上市首日收盘市值达1.2万亿美元，超越美光和AMD。今年一季度，SK海力士以58.1%的市占率领跑全球HBM市场。崔泰源还勾勒了SK集团在美AI产业的更宏观投资图景，预计在AI、AI数据中心及相关技术方面的投资将达到“至少数百亿美元”，并正在探索与合作伙伴开展多种形式的AI业务合资合作。

在美方财税补贴与潜在半导体关税的双重杠杆下，SK海力士的最终选址决策不仅关乎其自身全球产能布局，也将牵动HBM供应链的地缘格局。韩国业界已开始呼吁政府出台更明确的税收支持和补贴政策以应对美国压力，而投资者在关注产能扩张的同时，也需警惕存储行业高度周期性带来的波动风险。