半导体行业研究机构SemiAnalysis在8月23日通过X平台发布系列推文，详细阐述了3D NAND闪存制造正经历从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）的关键转型。这一材料替换并非简单的工程优化，而是应对更高堆叠层数下物理瓶颈的必然选择，对存储芯片制造商及上游设备供应商都将产生深远影响。

3D NAND技术大约在十年前停止了横向微缩，转而通过垂直堆叠更多层数来提升存储密度。然而，当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）开始遭遇三重物理限制：电阻过高导致信号延迟和功耗上升；基于氟的化学工艺引发漏电问题；在超深孔结构中无法实现有效填充。SemiAnalysis在推文中直言：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”

与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻带来更快的读写速度；无需依赖氟基化学工艺，从而规避漏电风险；在高深宽比结构中展现出更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的改进方案。

从行业现状看，目前各大厂商的量产层数仍集中在2xx层区间。SemiAnalysis梳理的数据显示：铠侠/闪迪（Kioxia/SanDisk）处于218层，美光（Micron）为276层，三星（Samsung）达到286层，而SK海力士以321层处于行业前沿。向3xx至4xx层的跃迁正在启动，这将是钼工艺大规模应用的关键窗口。SemiAnalysis估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。

主要NAND制造商均已明确承诺转向钼工艺，并给出了清晰的时间表。三星是先行者，其钼字线产品自2024年起已进入量产阶段；美光于2025年在Lam Research的ALTUS Halo设备上启动大规模量产；SK海力士则计划于2026年底推出采用钼工艺的375层NAND。这些举措表明，材料转型已从技术讨论进入实际落地阶段。

每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备，这为设备商创造了可观的市场增量。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。在受益格局方面，Lam Research将最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI以及中国设备商Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。

从产业视角看，这一转型不仅关乎存储芯片的性能提升，更牵动整个AI基础设施的算力供给。更高层数的NAND意味着更高的存储密度和更低的单位成本，这对于支撑AI训练和推理所需的海量数据存储至关重要。同时，设备市场的重新洗牌也为相关产业链公司带来新的增长机遇。随着各厂商在2025至2027年间陆续切换至钼工艺，存储行业的竞争格局有望进一步重塑。