SK海力士（SK Hynix）周五宣布，将投资54万亿韩元（约381亿美元） 在韩国新建两座存储芯片制造厂，以满足AI领域对存储芯片的旺盛需求。这一投资计划包括在龙仁（Yongin）建设名为Y2的晶圆厂，投资35.2万亿韩元，以及在清州（Cheongju）建设名为M17的设施，投资19.1万亿韩元。

存储芯片价格近期因供应短缺和AI基础设施建设的巨大需求而大幅上涨，这些设施正是为了应对这一趋势。AI芯片巨头英伟达（Nvidia） 等公司需要大量高带宽内存（HBM），而数据中心建设也推动了对DRAM和NAND等存储芯片的需求。SK海力士、三星（Samsung）和美光（Micron）等主要存储芯片生产商的股价因此大幅上涨，投资者押注供需失衡将持续一段时间。

SK海力士正面临来自三星的日益激烈的竞争。根据Counterpoint Research的数据，三星在第二季度重新夺回了DRAM市场份额第一的位置。DRAM是一种需求特别高的内存类型。这促使SK海力士注入新的资本支出以扩大其产能。

Counterpoint Research研究副总裁兼联合创始人Neil Shah对CNBC表示，短期内这些投资不会改变SK海力士的产量，而是为2029年及以后做准备。他同时指出，从更广泛的市场来看，三星、SK海力士、美光和CXMT（长鑫存储）等多供应商的扩张将在2028年前显著增加全球供应。然而，由于需求增长甚至快于计划产能，存储芯片价格在2028年底前不太可能走软。

龙仁Y2厂是SK海力士在龙仁半导体集群规划的四个晶圆厂中的第二个。该公司表示，该厂将作为DRAM的生产基地。SK海力士将于2027年7月破土动工，2029年6月启用首个洁净室，用于生产HBM和其他下一代DRAM产品。洁净室是芯片制造的关键受控环境。

清州工厂将生产NAND内存，SK海力士表示，市场对该产品的需求正在迅速增长。清州M17厂将于2027年2月破土动工，首个洁净室计划于2028年12月启用。

SK海力士在新闻稿中表示，在AI时代，仅靠技术竞争力是不够的，在客户需要的确切时刻提供所需数量的能力才是终极竞争优势。公司称，这一投资决定是在对市场需求进行彻底审查后做出的。

这些投资是该公司去年宣布的总体规划的下一阶段，该计划将在龙仁半导体集群投资600万亿韩元，并投资100万亿韩元扩建清州生产基地。

存储芯片市场的供需动态对AI产业链至关重要。SK海力士的扩产计划不仅反映了其对长期需求的信心，也预示着未来几年存储芯片供应将大幅增加。然而，由于AI需求增长迅猛，短期内价格压力可能依然存在。投资者需密切关注这些产能扩张的进展以及竞争对手的动向，以评估存储芯片市场的长期供需平衡。