台积电正在开发一种与英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）类似的先进芯片封装技术，内部将该项目称为“类EMIB”，并已开始与部分客户展开讨论。据7月30日援引两位知情人士的消息，台积电工程师已在内部推进该项目，目标是提供与英特尔EMIB功能相近的封装方案。报道后，台积电美股周四高开超过3%，随后持续扩大涨幅，最终收涨7.6%。

芯片封装是半导体生产的最后阶段，将不同硅片组装成一个单元并进行接线，使其能够作为整体工作。英特尔现有的EMIB是其应对先进封装需求的核心技术之一。该技术全称“嵌入式多芯片互连桥接”，传统2.5D封装需要在芯片下铺一整块大硅中介层来连线，而EMIB只在需要连接的地方嵌入微型硅桥，就像在两块地之间只架一座小桥，而不是铺整条路。近期该技术取得重大进展，EMIB-T版本良率已升至98%，并获得了英伟达、谷歌及OpenAI等多家大厂订单。

台积电当前以CoWoS技术主导AI芯片封装市场，但公司近期已通过发布CoWoS玻璃基板开发计划、搭建CoPoS试点产线等多条路径扩展封装能力。类EMIB项目的曝光，进一步丰富了其先进封装技术矩阵，也折射出行业竞争正在从制程向封装环节延伸。即便台积电正在大幅扩张CoWoS产能，行业仍预计芯片供应短缺将延续至2027年以后。野村证券预计，台积电2027年CoWoS产能目标将达到200万片，其中英伟达将占据约55%的份额。为应对产能瓶颈，台积电此前已发布CoWoS玻璃基板开发计划，并在中国台南搭建CoPoS试点产线，预计2028年下半年量产，英伟达Feynman架构GPU将是首波落地产品。

从行业格局看，英特尔正通过EMIB巩固其在先进封装领域的差异化优势，三星也在加速布局玻璃基板等新一代方案。台积电在CoWoS基础上增加类EMIB布局，显示出封装环节已成为头部晶圆厂争夺技术制高点的新战场。