中国DRAM大厂长鑫科技（CXMT）完成上市，募资规模达579亿人民币，上市后市值快速攀升，引发市场对中国记忆体产业扩产进程的高度关注。市场一度担忧，长鑫获得充裕资金后将加速新厂建设、制程升级及产能扩充，可能改变全球DRAM供需结构。然而，业界普遍认为，真正影响仍需观察产能建设、良率提升及终端需求变化，短期内全球缺货态势并未因此改变。

长鑫目前仍以一般型DRAM产品为主，主要布局DDR4及DDR5市场。在HBM（高带宽内存）领域，由于涉及先进制程、封装能力及技术门槛，加上相关设备与技术仍受国际限制，中国厂商短时间内难以追赶国际三大原厂（三星、SK海力士、美光）。因此，在AI记忆体市场的竞争格局短期内不会出现明显变化。

值得注意的是，中国半导体设备自主化进展同样备受关注。随着中国自制的浸润式DUV曝光设备陆续投入量产，将有助于成熟制程及一般型DRAM产能持续扩增。台湾业者也确实感受到中国设备成熟度有所提升，虽然先进领域尚未领先，但基本设备应用已有进步。法人认为，若未来长鑫产能持续放大，对DDR4及中低阶DDR5市场的价格竞争势必逐步增加，产品线有所重叠的南亚科、华邦电等利基型DRAM业者值得留意。

不过，也有业者指出，中国扩产也代表当地市场需求仍具支撑，且中国内需规模庞大，新增产能短期仍以满足本土市场为主，要形成大量外溢供给仍需时间。此外，新产能从建厂、设备导入到良率提升均需经过长时间验证，并非募资完成后即可立即转化为有效供给。业界认为，目前全球原厂仍无法完全满足市场需求，至少至2027年上半年以前，DRAM供应仍偏吃紧，市场供需缺口难以完全填补。至于Flash（闪存），扩产速度虽相对较快，但新增供给对市场的实质影响，预计也将落在2027年下半年之后，仍需持续观察各家新产能的量产进度与良率表现。