中國DRAM大廠長鑫科技（CXMT）完成上市，募資規模達579億人民幣，上市後市值快速攀升，引發市場對中國記憶體產業擴產程序的高度關注。市場一度擔憂，長鑫獲得充裕資金後將加速新廠建設、製程升級及產能擴充，可能改變全球DRAM供需結構。然而，業界普遍認為，真正影響仍需觀察產能建設、良率提升及終端需求變化，短期內全球缺貨態勢並未因此改變。

長鑫目前仍以一般型DRAM產品為主，主要佈局DDR4及DDR5市場。在HBM（高頻寬記憶體）領域，由於涉及先進製程、封裝能力及技術門檻，加上相關裝置與技術仍受國際限制，中國廠商短時間內難以追趕國際三大原廠（三星、SK海力士、美光）。因此，在AI記憶體市場的競爭格局短期內不會出現明顯變化。

值得注意的是，中國半導體裝置自主化進展同樣備受關注。隨著中國自制的浸潤式DUV曝光裝置陸續投入量產，將有助於成熟製程及一般型DRAM產能持續擴增。台灣業者也確實感受到中國裝置成熟度有所提升，雖然先進領域尚未領先，但基本裝置應用已有進步。法人認為，若未來長鑫產能持續放大，對DDR4及中低階DDR5市場的價格競爭勢必逐步增加，產品線有所重疊的南亞科、華邦電等利基型DRAM業者值得留意。

不過，也有業者指出，中國擴產也代表當地市場需求仍具支撐，且中國內需規模龐大，新增產能短期仍以滿足本土市場為主，要形成大量外溢供給仍需時間。此外，新產能從建廠、裝置匯入到良率提升均需經過長時間驗證，並非募資完成後即可立即轉化為有效供給。業界認為，目前全球原廠仍無法完全滿足市場需求，至少至2027年上半年以前，DRAM供應仍偏吃緊，市場供需缺口難以完全填補。至於Flash（快閃記憶體），擴產速度雖相對較快，但新增供給對市場的實質影響，預計也將落在2027年下半年之後，仍需持續觀察各家新產能的量產進度與良率表現。