摩根士丹利在7月20日发布的研究报告中，对近期遭遇抛售的美国存储股给出了积极判断。该行分析师Joseph Moore及其团队在上周密集走访数据中心采购渠道后确认，存储短缺的强度没有任何减弱迹象。大摩估计，第三季度数据中心内存价格较第二季度同类产品环比上涨至少25%，高于该行自身及第三方机构的此前预测。
大摩认为，此轮存储周期的核心逻辑在于，内存正日益成为AI基础设施建设的主要瓶颈之一，这一结构性约束预计将持续数年。在此背景下，存储股的风险回报正在快速追赶此前更受青睐的英伟达和博通，当前抛售已创造出强劲的入场机会。
针对近期拖累存储股的几大担忧——增速二阶导数放缓、资本开支上升、客户降规格（de-speccing）——大摩明确指出，这些均是一个月前便可预判的“明牌”，并不构成新的基本面变化。在价格增速方面，大摩承认二阶导数放缓是客观事实，但强调这本就不可避免。据SIA数据，DRAM价格在第一季度环比上涨约70%，第二季度涨幅超过40%。大摩指出，在存储行业季度营收已从一年前的约460亿美元攀升至逾2000亿美元的背景下，维持上述涨幅既无可能，也会对需求造成破坏性冲击。
在长期协议（LTA）方面，大摩认为其意义更多在于印证渠道调研所揭示的供需紧张，而非对价格形成硬性约束。大摩还指出，美光（Micron）在财报电话会议上关于“第二季度价格可能是部分新签协议上限”的表述，属于较为保守的措辞框架——根据行业渠道信息，这些协议大概率是此前已在原则上达成、只是法律审批周期较长的旧协议，而当前正在谈判的新协议将设有更高的价格上限。
大摩强调，此轮存储周期与历史周期存在本质差异：需求端几乎完全由数据中心驱动，消费、PC及智能手机市场的混合信号只是“假信号”，不应被视为周期转向的依据。云计算客户正在为6周期货支付高于预期第二季度价格的溢价，以加急获取内存。大摩反问道：“我们认为这些客户支付溢价是为了在仓库里囤货吗？”这一现象直接印证了供需紧张并非库存驱动，而是真实的产能瓶颈。
在需求端，大摩指出AI算力支出增速超过50%，远高于PC和智能手机市场3%至5%的年增速，且随着AI在整体需求中占比持续扩大，这一差距将愈发显著。HBM4的制造复杂度将大量消耗产能，而明年Rubin Ultra平台上线后HBM内存容量将翻倍；与此同时，机架用低功耗DDR5及企业存储需求同样旺盛。NAND方面，大摩指出行业资本开支持续保持异常克制，预计明年虽有所上升，但不足以实质性扩张供给。
大摩认为，当前市场争论的焦点应从“峰值盈利有多高”转向“高盈利能持续多久”，而后者对估值的支撑意义更为深远。长期协议和客户工程优化等举措，在一定程度上压缩了周期的振幅，但同时延长了周期的持续时间。“从当前运行水平持续攀升的数年盈利，对高估值的支撑力度，很可能强于单一的超强年份。”大摩写道。
在降规格风险方面，大摩承认英伟达已对机架中的LPDDR5内存用量进行了较大幅度的削减，并正推动更广泛的算力、工作内存与存储架构重组，以优化内存约束。但大摩认为，这些举措的底层逻辑恰恰是“内存短缺将持续数年”——这是信号，而非利空。随着供给逐步释放，内存使用量必然同步扩张。