存储芯片板块本周经历剧烈震荡，多重利空信号集中释放，令此前由AI需求驱动的上涨行情骤然降温。周三交易中，美光股价暴跌8.02%，闪迪大跌8.12%，西部数据跌幅超过7%，SK海力士美国存托凭证（ADR）同步下挫9%，几乎完全回吐前一交易日的涨幅。在韩国市场，SK海力士跌幅接近12%，三星电子跌逾9%，抛售压力全面蔓延。

触发此轮抛售的直接催化剂来自巴菲特的公开警告。他指出，当前市场对AI主题的投机行为盛行，寻找真正有价值的投资变得“越来越难”。尽管巴菲特并未点名任何具体公司，但这番话精准击中了存储股近期交易模式的软肋——投资者对每一条消息的反应都像在押注短期涨跌，而非基于对基本面的长期判断。美光本周的走势堪称“过山车”：周一跌4.3%，周二因KeyBanc将目标价上调至1750美元并预计存储短缺将延续至2027年而反弹4.7%，周三情绪急转直下，股价一度跌至约865美元附近，市值回落至约1.05万亿美元。

与此同时，广发香港在月度电话会议中透露，客户对接近30%的DRAM价格涨幅表现出强烈抵制，该机构因此略微下调了第三季度DRAM价格增长预测。这一表态与此前KeyBanc预计DRAM三季度涨价15%至20%的判断形成对比，显示需求端的议价能力正在对供给侧的定价预期形成制约。广发香港还指出，普通服务器的DDR5规格预计将较此前下调约50%，供应商正推进提供96GB或64GB的新款RDIMM及MRDIMM产品，后者有望成为新的主流规格。更值得关注的是，据该机构分析，英伟达VR200 NVL72机架的LPDDR5X容量已大幅削减，极端情景下可能降至原始规格的四分之一，这将使LPDDR5X成本从原本可能攀升至120万美元压缩至约29.3万美元。英伟达Vera CPU机架同样面临内存规格下调，总容量从1.5TB降至768GB，交付时间也可能因此推迟。

在DRAM前景趋于谨慎的同时，市场对NAND闪存和HBM（高带宽内存）的看法出现分化。广发香港对NAND态度转向乐观，指出KV缓存卸载需求持续超出预期，且市场出现了以NAND替代昂贵DRAM的新兴趋势。KeyBanc分析师John Vinh维持积极判断，预计NAND三季度涨价30%至40%，四季度再涨15%，HBM价格明年有望翻倍以上。HBM是AI处理器的关键配套存储，美光作为英伟达AI处理器的HBM供应商之一，深度嵌入AI硬件供应链。广发香港对SK海力士二季度业绩持乐观态度，预计营收将达85万亿韩元，毛利率为63%。

SK海力士ADR的走势尤其引人关注。周三其ADR下跌9%至176.46美元，而韩国本地股同日收涨8.8%，两者明显背离。在周二大涨27%之后，SK海力士ADR的远期市盈率已升至约6.2倍，与美光的估值水平趋近。此前ADR相对本地股折价是部分投资者买入的重要理由，但目前ADR相对韩国本地股的溢价一度超过50%。韩国证券存托机构预计将于7月29日开放本地股与ADR之间的双向转换，届时这一溢价空间可能显著收窄，构成ADR持有者的潜在压力。

尽管短期情绪剧烈波动，存储芯片的基本面数据依然强劲。美光最新财季营收达415亿美元，同比增长346%；净利润飙升近1400%至282亿美元；调整后每股收益25.11美元。公司已与16家战略客户签订总额220亿美元的存储芯片供应承诺协议，包含“照付不议”条款、现金押金及价格下限，为需求提供了超越日常市场波动的锚定。然而，存储行业的周期性风险始终悬而未决。美光今年资本支出约270亿美元，SK海力士与三星电子同样在大规模扩产。一旦供给追上需求，当前的定价权将面临严峻考验。当前多头逻辑的核心假设——供给紧张持续时间长于历史周期——能否成立，仍是市场最大的不确定性所在。