SK 海力士本周公布了一项总额高达 7125 亿美元（约 1100 万亿韩元）的韩国本土业务投资蓝图，这是该公司迄今最庞大的资本支出计划，旨在巩固其在 AI 存储领域的领导地位。
根据规划，这笔巨资将主要流向三大方向：清州园区的 NAND 与封装扩产、龙仁半导体集群的 DRAM 制造，以及一个尚在选址中的西南部半导体集群。
在清州园区，SK 海力士将投入约 640 亿美元（100 万亿韩元），用于建设一座名为 M17 的 3D NAND 闪存工厂，并安装配套制造设备，同时扩建名为 P&T7 的先进封装测试设施，以强化 HBM 后端加工能力。M17 工厂预计明年动工，最早于 2029 年 投入运营，其中工厂建设成本约 518 亿美元，封装设施约 129.45 亿美元。清州原本就是 SK 海力士 3D NAND 的核心制造基地，拥有 M11、M12、M15 等多座主力工厂。由于多层 3D NAND 与高带宽内存（HBM）堆叠在封装技术上存在共通性，该园区正逐步转型为同时生产 NAND 和 HBM 的复合型据点，现有设施 M15X 已开始生产 DRAM 晶粒，P&T3 则负责封装作业。
相比之下，龙仁半导体集群 的投资规模更为惊人，高达约 3893 亿美元（600 万亿韩元）。这片目前尚为空地的绿地上，将崛起 SK 海力士最大的 DRAM 生产基地。首座工厂计划于 2027 年 5 月 启动运营，后续工厂将依次建设，全部四座工厂的目标完工时间已从原定的 2045 年大幅提前至 2033 年。考虑到一座 DRAM 工厂从投产到满产通常需要一年到一年半，龙仁集群对全球存储市场的实质影响预计将在 2028 至 2029 年显现。这笔投资的时间跨度将延伸至 2033 年之后。
第三大投资方向是尚处于概念阶段的 西南部半导体集群，计划投资约 2595 亿美元（400 万亿韩元）。该项目目前连具体选址都未确定，SK 海力士表示将评估土地、电力、水源、交通等基础设施条件，并与中央及地方政府协商后敲定位置。该集群被定位为继利川、清州、龙仁之后的下一代主力制造基地，但由于项目完成需数十年，最终投资额可能随市场环境和晶圆设备成本变化而上下调整。SK 海力士强调，开发新半导体集群从选址到基础设施建设需耗时多年，例如龙仁集群的开发周期就长达约九年，因此必须提前布局。
SK 海力士并非唯一在韩国本土砸下重金的存储巨头。三星 同日宣布，将在韩国忠清道地区投资约 909.8 亿美元（140 万亿韩元），涵盖三星显示的 OLED 扩产、三星电子在温阳的五条 HBM 生产线建设及天安 HBM 相关设施现代化改造、三星 SDI 在天安的下一代电池验证产线，以及三星电机在世宗的 AI 服务器封装基板产能扩张。
两大韩系存储厂商同步启动如此大规模的本土投资，背后是 AI 算力需求对 HBM 和 NAND 存储的持续拉动。HBM 作为 AI 芯片的关键组件，其产能直接制约着 GPU 的出货节奏；而 3D NAND 则是数据中心存储的基石。SK 海力士此次将投资重点同时押注在 NAND 制造、HBM 封装和 DRAM 产能上，显示出其对 AI 驱动下存储需求长期增长的强烈信心。不过，这些项目的建设周期普遍较长，多数产能要到 2027 年之后才能逐步释放，短期内全球存储市场的供需格局仍将取决于现有产线的扩产节奏与下游需求的博弈。