SK 海力士本週公佈了一項總額高達 7125 億美元（約 1100 萬億韓元）的韓國本土業務投資藍圖，這是該公司迄今最龐大的資本支出計劃，旨在鞏固其在 AI 存儲領域的領導地位。
根據規劃，這筆巨資將主要流向三大方向：清州園區的 NAND 與封裝擴產、龍仁半導體集群的 DRAM 製造，以及一個尚在選址中的西南部半導體集群。
在清州園區，SK 海力士將投入約 640 億美元（100 萬億韓元），用於建設一座名為 M17 的 3D NAND 閃存工廠，並安裝配套製造設備，同時擴建名為 P&T7 的先進封裝測試設施，以強化 HBM 後端加工能力。M17 工廠預計明年動工，最早於 2029 年 投入運營，其中工廠建設成本約 518 億美元，封裝設施約 129.45 億美元。清州原本就是 SK 海力士 3D NAND 的核心製造基地，擁有 M11、M12、M15 等多座主力工廠。由於多層 3D NAND 與高帶寬內存（HBM）堆疊在封裝技術上存在共通性，該園區正逐步轉型為同時生產 NAND 和 HBM 的複合型據點，現有設施 M15X 已開始生產 DRAM 晶粒，P&T3 則負責封裝作業。
相比之下，龍仁半導體集群 的投資規模更為驚人，高達約 3893 億美元（600 萬億韓元）。這片目前尚為空地的綠地上，將崛起 SK 海力士最大的 DRAM 生產基地。首座工廠計劃於 2027 年 5 月 啟動運營，後續工廠將依次建設，全部四座工廠的目標完工時間已從原定的 2045 年大幅提前至 2033 年。考慮到一座 DRAM 工廠從投產到滿產通常需要一年到一年半，龍仁集群對全球存儲市場的實質影響預計將在 2028 至 2029 年顯現。這筆投資的時間跨度將延伸至 2033 年之後。
第三大投資方向是尚處於概念階段的 西南部半導體集群，計劃投資約 2595 億美元（400 萬億韓元）。該項目目前連具體選址都未確定，SK 海力士表示將評估土地、電力、水源、交通等基礎設施條件，並與中央及地方政府協商後敲定位置。該集群被定位為繼利川、清州、龍仁之後的下一代主力製造基地，但由於項目完成需數十年，最終投資額可能隨市場環境和晶圓設備成本變化而上下調整。SK 海力士強調，開發新半導體集群從選址到基礎設施建設需耗時多年，例如龍仁集群的開發週期就長達約九年，因此必須提前佈局。
SK 海力士並非唯一在韓國本土砸下重金的存儲巨頭。三星 同日宣佈，將在韓國忠清道地區投資約 909.8 億美元（140 萬億韓元），涵蓋三星顯示的 OLED 擴產、三星電子在溫陽的五條 HBM 生產線建設及天安 HBM 相關設施現代化改造、三星 SDI 在天安的下一代電池驗證產線，以及三星電機在世宗的 AI 服務器封裝基板產能擴張。
兩大韓系存儲廠商同步啟動如此大規模的本土投資，背後是 AI 算力需求對 HBM 和 NAND 存儲的持續拉動。HBM 作為 AI 芯片的關鍵組件，其產能直接制約著 GPU 的出貨節奏；而 3D NAND 則是數據中心存儲的基石。SK 海力士此次將投資重點同時押注在 NAND 製造、HBM 封裝和 DRAM 產能上，顯示出其對 AI 驅動下存儲需求長期增長的強烈信心。不過，這些項目的建設週期普遍較長，多數產能要到 2027 年之後才能逐步釋放，短期內全球存儲市場的供需格局仍將取決於現有產線的擴產節奏與下游需求的博弈。