三星電子近日公佈了下一代儲存器戰略，明確將高頻寬儲存器（HBM）HBM5的效能目標設定為HBM4E的2倍，而後續一代產品zHBM的效能目標則達到HBM4E的8倍。這一規劃以3D結構創新為核心，旨在爭奪下一代儲存器市場的主導權。

在AI大模型訓練與推理對儲存頻寬和容量提出更高要求的背景下，HBM已成為關鍵競爭領域。三星此次將HBM5與zHBM的效能目標大幅提升，顯示出其希望通過技術代際躍升來鞏固市場地位的意圖。HBM4E作為當前HBM4的增強版本，其效能基準已被業界廣泛關注，三星在此基礎上設定兩倍與八倍的提升目標，意味著在堆疊層數、I/O速度或能效等方面將有顯著突破。

除HBM外，三星還針對大語言模型（LLM）所需的大容量儲存器需求，推進zNAND-O的開發。zNAND-O的目標是在位元密度達到DRAM 10倍的同時，將讀取頻寬和能效分別提升至NAND的7倍。這一產品定位介於DRAM與NAND之間，旨在以更低的成本提供接近DRAM的效能，滿足AI推理中對大容量、高頻寬儲存的需求。三星計劃於2028年開始zNAND-O的樣品供應，表明其技術路線圖已明確，但距離量產仍有數年時間。

從產業角度看，三星的儲存器戰略將直接影響AI晶片與系統的效能表現。HBM與zNAND的推進有助於緩解當前AI算力中的“記憶體牆”瓶頸，為更大規模模型訓練提供支撐。同時，這也加劇了與SK海力士、美光等競爭對手在HBM市場的爭奪。三星能否按計劃實現這些效能目標，將取決於其在3D堆疊、先進封裝等工藝上的進展。對於AI產業鏈投資者而言，儲存技術的迭代節奏是評估相關公司長期競爭力的重要觀察點。