美國銀行全球研究在8月27日釋出的報告中預計，9月儲存晶片現貨價格仍有10%至20%的上漲空間，主要因供給極度緊張疊加傳統消費旺季。報告顯示，9月現貨市場供給滿足率不足50%，模組廠商和白牌OEM普遍無法從三星電子、SK海力士、美光等主要儲存晶片廠商處獲得足量的通用DRAM及NAND產品，原因是這些大廠將產能優先分配給大型科技客戶。

儘管當前現貨價格已令多數IT產品處於負毛利區間，但美銀認為供給短缺與旺季效應的共振仍將推動價格進一步走高。報告指出，輝達最新發布的2027財年約70%的營收增長指引遠超市場預期，對此前轉向悲觀的儲存板塊投資者構成正面提振。美銀同時提醒，輝達的增長預測本身已將儲存短缺納入假設前提，若需求進一步超預期，儲存行業的增長彈性可能更大。

現貨價格方面，根據DRAMeXchange資料，截至報告發布日，16Gb DDR5現貨價格報54美元，年初至今漲幅達85%，創歷史新高；16Gb DDR4現貨價格報91美元，較去年同期上漲879%；8Gb DDR4報44美元，同比上漲803%。NAND方面，1Tb晶圓現貨價格報31.9美元，同比上漲526%；256Gb晶圓報16.8美元，周環比上漲6%，同比漲幅高達979%。

美銀渠道調查顯示，9月現貨市場供給滿足率低於50%，這一數字與三星電子在虛擬路演中披露的資訊相互印證——即便到明年，高階GPU及CPU的DRAM供給滿足率仍僅在50%至60%左右。報告強調，當前現貨價格雖已令多數IT產品毛利轉負，但短缺格局與旺季需求疊加，仍支撐9月現貨價格存在10%至20%的上行空間。

美銀報告將輝達2027財年約70%的營收增長指引視為儲存行業的重要催化劑，並據此上調了對全球DRAM銷售額的增長預期。報告指出，若僅假設2027年各季度均價環比上漲10%，疊加約19%的出貨量增長，2027年全球DRAM銷售額增幅可能超過80%，遠高於此前預測的48%（均價+24%，出貨量+19%）。

美銀列舉了三大驅動因素：其一，輝達自身約70%的增長預測已基於儲存短缺假設，若晶片訂單需求更強、Rubin/Vera平台採用更廣泛，上行空間將進一步開啟；其二，ASIC/TPU陣營正更積極地爭奪HBM、DRAM及NAND資源，且願意支付高於輝達的價格；其三，若輝達與超大規模雲廠商消化三大儲存廠商新增產能，蘋果、中國OEM及中國台灣模組廠商可能在長期協議框架下提出更高的2027年儲存報價，屆時均價存在單季度環比上漲10%以上的可能。

美銀本週舉辦了覆蓋10餘家儲存及韓國科技公司的虛擬路演，整體基調偏樂觀。三星電子表示，即便在長期協議（LTA）框架下，DRAM均價仍可按季度協商，目前約60%至70%的晶圓產能納入LTA管理；新建晶圓廠（P4）產能主要用於HBM，高階GPU/CPU不存在降規格情況，明年供給滿足率仍僅約50%至60%。SK海力士則表示，儘管新建龍仁廠區已在推進，但受HBM產能佔用影響，晶圓產能擴張整體受限，對傳統DRAM及NAND擴產不感興趣；即便LTA比例提升，近期均價上行空間依然較大。Nanya Tech指出，傳統DDR4需求非常強勁，新建晶圓廠裝置安裝預計於2027年一季度啟動，初始目標產能為每月3萬片，計劃於2028年達產。Silicon Motion表示，企業級解決方案年化營收已從一年前的約10億美元翻倍至近20億美元；FADU則預計2026年下半年至2027年eSSD控制器銷售額將實現100%以上增長。

韓國產業通商資源部資料顯示，8月前20天半導體出口額達260億美元，環比增長18%，創歷史新高；同比增速加速至199%，已連續七個月實現正增長。輝達方面，其7月季度營收報960億美元，同比增長106%，環比增長18%；資料中心營收達890億美元，同比增長117%，佔總營收比例高達93%。美銀美國分析師預計，隨著儲存成本上升，輝達毛利率將出現溫和壓縮，但資料中心毛利率有望維持在70%以上。

儘管DRAM及NAND相關股票在7月至8月出現回撥，但年初至今漲幅仍十分顯著。美銀資料顯示，三星電子、SK海力士、美光及Nanya Tech股價較2026年初均上漲2至3倍；SanDisk及Kioxia年初至今回報率更超過400%。從估值角度看，多數DRAM股票目前市盈率仍處於4至8倍區間，美銀認為估值並不昂貴。報告指出，SK海力士和三星電子股價在輝達財報釋出後的8月27日已出現明顯反彈。合同價格方面，16Gb DDR5及DDR4合同價格均在35至40美元區間，8月環比漲幅收窄至低個位數，低於7月的10%至15%；NAND 512Gb晶圓合同價格目前約為26美元，較2025年2月低點上漲約10倍。