三星電子與SK海力士正加速強化在華NAND快閃記憶體生產佈局，兩家韓國儲存巨頭計劃在明年前陸續完成新一輪裝置投資，以應對AI伺服器驅動的高階儲存需求激增。據ZDnet週二報道，業內訊息顯示，三星電子已將中國西安工廠的第九代NAND轉換投資計劃具體化，並確定追加補充投資方案，相關裝置採購訂單預計於今年年底前落實，補充投資將於明年下半年啟動。SK海力士則已於今年第三季度起，在大連第二工廠推進NAND產品升級所需的裝置投資，目標產能規模約為月產3萬片晶圓。

上述投資計劃表明，兩家企業正將中國產線定位為高階NAND量產的重要支柱。隨著AI基礎設施建設提速，市場對先進NAND的需求持續擴張，此輪在華擴產有望進一步提升兩家企業的高階產品供給能力。

三星西安工廠：V9 NAND分階段擴產

三星電子今年上半年已在西安X2產線啟動V9 NAND轉換投資。V9 NAND採用280層級堆疊架構，屬於當前最先進的NAND產品，預計該產線月產能將達4萬至5萬片晶圓。為進一步鞏固V9 NAND的穩定量產能力，三星電子近期確定了針對該工廠的補充投資計劃，核心內容為追加引入刻蝕工藝裝置。刻蝕工藝是NAND製造的關鍵環節——由於NAND需要將儲存單元堆疊數百層，必須在晶圓上蝕刻出極深的通道孔，對刻蝕技術的精度與深度要求極高。

據業內人士透露，三星電子計劃於明年下半年執行上述補充投資，相關裝置採購訂單預計在今年年底前具體落實。該人士表示，三星今明兩年將分階段推進中國境內先進NAND產能擴張，直接動因是AI伺服器等應用場景對高階NAND需求的快速增長。

SK海力士大連工廠：新產線投資全面提速

SK海力士方面，公司已於今年第三季度起在大連第二工廠啟動裝置投資，目標是推進當地NAND產品的技術升級。據悉，目前討論中的投資規模對應月產能約為3萬片晶圓，相關投資將持續推進至明年。大連工廠此輪投資標誌著SK海力士在華NAND產能建設進入實質性加速階段，與三星西安工廠的擴產節奏形成呼應，共同構成兩家韓國儲存企業應對全球高階NAND供需缺口的重要舉措。

從產業視角看，兩家廠商不約而同地加碼在華產能，反映出全球儲存市場正經歷結構性調整：傳統消費電子需求疲軟之際，AI伺服器對高頻寬、大容量NAND的需求成為新的增長引擎。將中國工廠納入高階產品量產體系，既能貼近快速增長的中國市場，也能利用現有產線基礎快速提升供給能力。對上游裝置與材料供應商而言，這意味著刻蝕機、沉積裝置等訂單有望持續釋放；對下游雲服務商與AI算力建設方來說，則意味著高階儲存的供給保障將得到加強。不過，地緣政治與出口管制因素仍可能對相關投資的落地節奏帶來不確定性，後續進展值得持續關注。