2025年10月13日，在聖何塞舉行的OCP Global Summit 2025上，AI基礎設施的供電架構迎來關鍵轉折。與NVIDIA主題演講中“黃仁勳定義未來”的敘事不同，在MGX電氣生態展區，台達、ST、Power Integrations、AOS、英諾賽科、Renesas、EPC、onsemi等八家以上核心晶片和電源廠商，同一周內全部展出了800V DC架構的可量產方案。這標誌著800V HVDC從技術路線圖走向產業共識，器件層面的瓶頸已被打破。

NVIDIA在OCP釋出的白皮書《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》中算了一筆賬：一個1MW機櫃若沿用54V DC配電，需要200公斤銅母線；放大到1GW資料中心，僅機架式母線就需要20萬公斤銅。而54V系統的端到端效率在85%-88%之間，每100kW機架有12-15kW電力以熱量耗散。相比之下，800V DC的邊車方案可在單個Kyber機架中為576個Rubin Ultra GPU供電。物理公式P=I²R決定了電壓提升帶來的損耗降低：從54V提到800V，電流降至約1/15，線路損耗降至1/225。NVIDIA白皮書給出的量化收益包括：銅纜用量降低45%、相同導體截面積多傳輸85%功率、端到端效率提升5%、維護成本降低最高70%、TCO降低30%。

八家供應商在OCP 2025上各佔生態位，拼出800V DC從電網到晶片的完整供電鏈。台達展出800VDC與400VDC完整供電方案，核心是固態變壓器（SST），能源轉換效率達98.5%，並配套2000kW液對液CDU和300kW液對氣CDU，以及1MW列間電源系統。ST展示了12kW功率傳輸板，採用1MHz DCX 16:1堆疊LLC諧振轉換器，800V輸入、50V輸出，峰值效率98%，功率密度超過2600W/in³，其10層PCB平面矩陣變壓器將損耗降低約30%。Power Integrations釋出1250V和1700V PowiGaN技術白皮書，與NVIDIA合作加速800V DC轉型，核心論點是單顆1250V PowiGaN HEMT的功率密度和效率優於堆疊兩顆650V GaN FET及1200V SiC器件。PI同時展示InnoMux-2 EP IC，內建1700V PowiGaN開關，支援1000VDC輸入，12V系統效率超過90.3%。AOS宣佈全鏈路支援NVIDIA 800V DC架構，產品覆蓋1200V SiC、650V/100V GaN FET及封裝創新。英諾賽科被NVIDIA Keynote點名，展示全球唯一覆蓋1200V到15V全GaN鏈路的IDM方案，其第三代GaN器件開關頻率接近1MHz，驅動損耗降低80%、開關損耗降低50%，系統總功率損耗降低10%，8英寸晶圓月產能2萬片。

GaN與SiC在800V DC架構中的角色邊界是OCP 2025最值得深挖的技術分歧。PI的白皮書明確判斷單顆1250V PowiGaN優於堆疊650V GaN和1200V SiC。從器件物理看，GaN沒有寄生體二極體，反向恢復電荷接近零，在硬開關拓撲中開關損耗天然比SiC低一個數量級；同時GaN不依賴柵氧化層，高溫長期可靠性可能更優。但SiC在更高電壓段仍有不可替代性：SST端需要將13.8kV中壓交流轉為800V直流，需3.3kV到6.5kV甚至更高耐壓的SiC MOSFET，而GaN的電壓天花板目前還在1700V。因此，更可能的圖景是GaN和SiC形成分工：SST端用SiC，800V到50V DC-DC段GaN 1250V挑戰SiC 1200V，50V到12V及12V到1V段GaN和Si MOSFET各司其職。

國產供應鏈在OCP 2025上有兩個亮點。英諾賽科作為全球唯一全GaN IDM，8英寸月產能2萬片，被NVIDIA Keynote點名，其差異化在於“全鏈路”GaN方案，賭的是GaN一統天下。元腦伺服器（浪潮）展示了800VDC+GaN+VPD一體化方案：HVDC替換傳統UPS，自研氮化鎵HVDC電源供電效率98%，單櫃支撐430kW-720kW，VPD垂直供電技術將路徑縮短60%以上、能耗損失降低66%，供電損耗從約15.5%降至9.7%，30MW資料中心年省電費超千萬元。中興通訊則完成HPPD研發立項，輸出電壓選擇400V HVDC，且400V也支援輸出800V，覆蓋2MW級集中電源和1MW級Sidecar。但國產力量在SiC中高壓段（3.3kV-6.5kV）仍有明顯差距，SST端最貴的高壓SiC MOSFET國產化率偏低，成本下降主動權仍在國際三強（英飛凌、安森美、ST）手中。

如果說器件瓶頸已破是OCP 2025的第一個訊號，那麼第二個訊號是電壓制式之爭。NVIDIA押注800V DC，但北美三大雲商（微軟、Google、Meta）更傾向400V HVDC的漸進式方案。國內中國電信、信通院、百度在CCSA推進375V HVDC立項，位元組在委託第三方做供配電演進路標規劃，阿里和騰訊在關注或準備技術試點。這讓人想起HVDC上一輪歷史：2008年中國電信推240V HVDC，2012年移動推336V HVDC，336V技術上領先但生態未成熟，反而是漸進式的240V活了下來。800V是躍進式制式，400V是漸進式制式，歷史會不會重演，三年內見分曉。中興的雙輸出策略對沖了風險，值得電源系統廠商借鑑。

無論800V還是400V，高壓直流替代傳統54V/交流鏈路的方向已不可逆。差異只在於SST是標配還是選配、GaN在高壓段能吃掉多少SiC份額、中間匯流排電壓是50V還是48V還是12V直接到底。對產業從業者而言，真正需要回答的問題是：電壓制式之爭的走向、國產器件在SiC高壓段的追趕進度，以及落地節奏——SemiAnalysis說推遲到2028年，摩根士丹利說按計劃，分歧本質是產業鏈成熟度的認知差異。器件不再是瓶頸，標準才是。