輝達AI伺服器對NAND快閃記憶體的需求正進入爆發式增長階段，其即將推出的新一代儲存裝置上下文記憶體儲存（CMX）預計明年所需NAND容量將從今年的3500萬TB激增至逾1億TB。據首爾經濟日報7月20日報道，三星電子已啟動第十代V型NAND（V10）量產並向輝達正式供貨，同時將旗下V-NAND總產能的約60%配置於第九代產品（V9）生產線，以滿足CMX的需求。

CMX的誕生源於AI推理過程中鍵值快取（KV Cache）資料量的急劇膨脹。此前GPU伺服器可在內部處理KV快取資料，但隨著資料規模持續擴大，搭載數千TB級固態硬碟（SSD）的獨立外接儲存裝置已成為AI伺服器的必要配置。據wccftech報道，輝達CMX單台裝置搭載576塊SSD，總儲存容量達9600TB。半導體行業獨立分析師@jukan05在X平台發帖指出，1億TB的規模大致相當於在NAND市場中新增一個蘋果公司體量的需求來源，其對供給端的衝擊不容低估。

三星電子目前月產V-NAND晶圓能力已超過10萬張。據報道，輝達已在CMX出貨前夕向三星提出擴大NAND產能的要求，三星方面亦在積極響應。三星今年NAND總產量預計約達2.5億TB，公司計劃憑藉這一全球領先的產能規模，確立其作為輝達CMX核心供應商的地位。

在產品線佈局上，三星正同步推進三代V-NAND產品的生產程序。V9方面，三星已將其產能佔比提升至V-NAND總產能的約60%，良率亦已穩定在80%以上，進入量產成熟階段。一年前，V8仍佔據V-NAND產量的相當比重，如今其佔比已降至40%以下，產線切換速度顯示出三星對AI伺服器需求的快速響應能力。此外，三星平澤第四工廠（P4）NAND專用潔淨室仍有逾半空間尚未投產，為後續擴線提供了充足餘地。V10方面，三星已於今年上半年正式啟動量產，目前產量佔V-NAND總產量的比例不足5%，處於爬坡階段。V10採用約400層堆疊架構，儲存密度較V9的286層提升逾50%，可在相同CMX模組內裝配更高容量的SSD。值得關注的是，V10將首次大規模商用鉬材料替代傳統鎢配線，可將配線厚度縮減30%至40%，三星此前在V9中已有小規模應用。V11方面，三星已於今年初啟動試產，目標堆疊層數為400層至500層，較V10再提升約100層。三星計劃在下半年將試產規模擴大一倍，以積累足夠的良率資料，加快推進量產體系建設。

三星與輝達NAND同盟的深化，在提振三星業績預期的同時，也加劇了整個儲存行業的供給分化。據報道，三星2026年的利潤預計將超過過去40年累計盈利總和，這在很大程度上得益於AI伺服器儲存需求的結構性爆發。然而，這一紅利的另一面是：當三星將大比例產能鎖定於輝達等大型科技客戶後，面向其他企業及消費者的NAND供給將受到明顯擠壓，儲存價格上行風險隨之上升。此前，AI熱潮已率先引發DRAM短缺並推動價格大幅上漲，NAND市場正面臨類似的供給收緊邏輯。隨著輝達CMX出貨規模持續擴大，這一壓力預計將進一步加劇。從長遠來看，V11 NAND的加速研發或為消費級市場提供一定緩解空間——500層堆疊技術理論上可以更低成本大規模生產高容量消費級SSD，但前提是三星願意為此分配產能。就目前的產能配置方向而言，這一前景尚難樂觀。

三星與輝達的合作已從DRAM、HBM延伸至代工服務，如今又將NAND快閃記憶體納入同盟框架，合作深度與廣度均在持續擴充套件。據報道，三星電子董事長李在鎔預計近期將在舊金山與輝達執行長黃仁勳會面。此次會談議題預計涵蓋HBM及下一代NAND產品的供應安排，以及圍繞在韓國全南光州等地建設資料中心的合作方案。業界人士表示，三星與輝達的同盟橫跨儲存與代工業務全線，兩位領導人之間的合作討論將進一步深化。隨著輝達CMX出貨在即，這場會面的戰略意義亦將更加凸顯。