在今年的 Computex 2026 展會上，伺服器記憶體領域迎來了重要進展。美光（Micron）和三星（Samsung）分別展示了新一代伺服器記憶體產品，預示著未來 x86 伺服器平台的效能將得到顯著提升。

美光此次展出了 DDR5-8000 RDIMM，其資料傳輸速率達到 8000 MT/s，遠超當前主流的 DDR5-6400 規格。美光表示，該產品基於其 1y 製造工藝，在能效上具有優勢，每位元功耗更低。美光同時提供標準版和 3D 堆疊（3DS）版本，後者利用 32Gbit 晶片可實現單條 256GB 的高容量，兼顧了高速度與大容量需求。這些 RDIMM 預計將用於 Intel 和 AMD 的下一代伺服器平台。

與此同時，三星展示了第二代 MRDIMM（Multiplexor Rank DIMM），速度達到驚人的 12800 MT/s，較第一代的 8800 MT/s 提升了 45%。MRDIMM 技術通過多列 DRAM 晶片與多路複用器交錯切換工作，以換取更高的總頻寬。第二代 MRDIMM 基於 DDR5-6400 記憶體顆粒，在架構上延續了這一思路。不過，其代價是容量受限：三星目前僅推廣最大 128GB 的 MRDIMM Gen2，僅為高階 3DS RDIMM 的一半。這意味著伺服器廠商需要在極致頻寬與最大容量之間做出取捨。

據推測，AMD 的 EPYC “Venice” 平台（計劃今年晚些時候釋出）有望率先支援 MRDIMM Gen2。若搭配 16 通道記憶體控制器，使用第二代 MRDIMM 的處理器總記憶體頻寬可達驚人的 1.6TB/s，而當前 12 通道的 EPYC 9005 平台（支援 DDR5-6400）理論頻寬約為 0.6TB/s。Intel 的 Diamond Rapids Xeon 平台也計劃在 2027 年跟進，同樣支援 16 通道記憶體。

記憶體頻寬一直是計算系統中的關鍵瓶頸，尤其在 AI 訓練與推理場景中，高頻寬記憶體（HBM）與伺服器主記憶體之間的資料搬運效率直接影響 GPU 叢集的整體效能。更快的 DDR5 RDIMM 和 MRDIMM 將有助於緩解這一瓶頸，為資料中心提供更優的算力支撐。