6月2日，在臺北電腦展上，SK集團會長崔泰源向媒體證實，全球第二大存儲芯片製造商SK海力士將在未來五年內，將旗下內存晶圓的總產能提升一倍。崔泰源明確指出，這一龐大的資本支出計劃主要源於人工智能引發的持久性需求，並預計由AI驅動的內存短缺至少會延續到2030年。

SK海力士此次表態較以往更為激進。此前，公司已多次擴大高帶寬內存（HBM）的產能投資，以滿足英偉達等AI芯片巨頭的訂單。但崔泰源說的是“內存晶圓產能”，這意味著無論是用於HBM的先進DRAM，還是更主流的DDR5及NAND閃存，都可能迎來規模倍增。參照此前規劃，其位於韓國清州的新晶圓廠M15X預計2025年底投產，而進一步產能翻倍需新建更多生產線。

AI驅動內存需求進入長期結構性增長 隨著大語言模型參數規模邁向萬億級別，單張GPU搭載的HBM容量持續攀升。英偉達的H100配備80GB HBM，而下一代B200則進一步提升。同時，服務器CPU對內存帶寬和大容量的需求同步跳升。這種趨勢下，HBM及整個內存行業的供需失衡已經顯現。崔泰源的“2030年”論斷，為AI算力產業鏈的長期投入釋放了強烈信號。

產能翻倍需時，短期供應緊張無解 然而，五年擴產週期意味著遠水難解近渴。晶圓廠從動工到量產普遍需兩至三年，良率爬坡和客戶驗證還將佔用時間。業界預計，至少到2026年，HBM仍將處於供不應求狀態。內存價格高企會直接推高AI服務器成本，可能影響部分企業的大規模部署節奏。另一面，對SK海力士而言，提前鎖定長期需求帶來財務樂觀預期，但大規模資本支出若遇需求反轉也將形成風險。

全球存儲競賽再起，HBM格局面臨挑戰 SK海力士在HBM市場暫居首位，但三星電子和美光均在奮力追趕。三星已宣佈最早今年第三季度量產HBM3E 12層產品，美光則全力爭取成為英偉達的第二供應商。當頭部廠商均大幅擴產，未來行業利潤可能承壓。然而從AI產業整體看，更充裕的內存供應將解開束縛在高端算力上的“內存牆”，有利於大模型訓練和推理成本長期下降，進而加速應用端創新。

站在“五層蛋糕”視角，本次產能擴張直指芯片層中的存儲節點，與基礎設施層的高性能計算服務器緊密相連。若計劃順利落地，將進一步鞏固AI硬件投資的長期邏輯，併為上層模型訓練和應用爆發提供更堅實的物質基礎。