极紫外（EUV）技术正从光刻环节向量检测领域渗透。随着芯片制程持续微缩，晶体管从FinFET向GAA等三维结构演进，传统光学检测的灵敏度已难以满足纳米级缺陷的检出要求，而电子束检测又存在速度慢、可能损伤晶圆的短板。基于EUV光源的检测技术兼具高分辨率、高速度与无损特性，正成为半导体量检测的新方向。国内多家初创企业与高校团队已在这一赛道展开布局，试图打破海外对高端EUV光源的垄断。

EUV量检测的必要性源于光刻波长的剧烈变化。光刻波长从193纳米缩短至13.5纳米，使得EUV光刻需要全新的元器件和材料，也意味着必须在工作波长下重新开展检测研究。根据散射信号经验公式，信号强度正比于颗粒尺寸的六次方、反比于照明光波长的四次方，波长缩短至13.5纳米可大幅提升纳米级缺陷的检出灵敏度，在套刻量测等场景优势尤为显著。当前，非破坏性测量已是主流方向，但高端EUV光源长期被海外厂商垄断。

EUV光源主要有三类技术路线。第一类是传统等离子体光源，包括激光等离子体光源（LPP）和放电等离子体光源（DPP），前者用高功率激光轰击熔融锡滴产生EUV光，后者通过高压放电激发锡等离子体，两者功率高但系统复杂、造价昂贵。美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发一种拍瓦级铥激光器，据称效率比现有二氧化碳激光器高10倍，未来可能取代光刻系统中的二氧化碳激光器。第二类是加速器光源，包括自由电子激光（FEL）、同步辐射（SR）和稳态微聚束光源（SSMB），其中SSMB由清华大学团队主导，2021年原理已获实验验证，被视为大功率EUV光源的潜在新路径。第三类是高次谐波产生（HHG）光源，通过飞秒激光与稀有气体相互作用产生极紫外光，具有体积小、造价低、相干性高、波长可调等优点，但功率较低，目前主要用于掩模版缺陷检测、阿秒物理等科研和量测领域。国际上的ASML、Intel、Samsung、TSMC等公司已开始在量测与检测环节使用HHG技术，美国NIST将其定义为“宽带-超快-相干三位一体的最优路线”，IRDS 2024国际半导体技术路线图更明确指出HHG是下一代EUV量测的核心技术。

EUV量检测主要覆盖掩模缺陷检测、晶圆量检测、材料分析等场景。在掩模检测方面，EUV光刻采用反射式光路，掩模由基底、Mo/Si多层膜与吸收层构成，微小缺陷会导致晶圆关键尺寸大幅偏差。传统DUV光源和电子束难以穿透多层膜检测相位缺陷，而相干衍射成像（CDI）等无透镜技术可解决这一问题。瑞士PSI开发的RESCAN工具目标是在7小时内完成EUV掩模版全检，检出小于10纳米的缺陷；日本Hyogo与RIKEN合作的HHG-CSM系统将线缺陷检测极限从同步辐射源的10纳米提升至2纳米。三星基于HHG-EUV光源开发了EMDRS系统，用于验证掩模修复效果。在晶圆量检测方面，散射量测是常用技术，ASML和Intel的研究人员利用10-20纳米波长的HHG-EUV宽带光源开展散射量测，适用于3D轮廓测量和套刻应用，穿透深度可达400纳米，支持GAA等复杂三维结构。在材料分析方面，EUV反射计可无损测量光刻胶曝光后的光学常数变化，EUV瞬态光栅技术则能研究纳米级热输运效应，对先进制程热管理具有重要意义。

国产EUV量检测布局已初步形成矩阵。华芯极光成立于2025年8月，创始人林楠教授师从2023年诺贝尔物理学奖得主Anne l'Huillier，曾在ASML研究部工作多年，拥有120余项国际专利，其产业化落地由与全筑股份合资的华芯全筑完成。朗道科技成立于2024年，核心业务聚焦LPP-EUV光源研发，创始人王豪博士团队基于清华大学气体放电等离子体实验室成果，提供集成化检测/光刻级别EUV光源系统。云栖极耀成立于2025年2月，从事紧凑型等离子体光源研发，2026年2月完成天使轮融资，由中芯聚源、君澜资本等五家机构联合投资。华日激光是华中科技大学陆培祥团队的技术转化载体，推动EUV相干光源产业化，其项目曾入围湖北省“双创战略团队”。皓宇芯光成立于2023年11月，技术路线为HHG EUV光源，团队覆盖从软X射线到真空紫外的整个光谱区间。

尽管布局初显，挑战依然严峻。一是光源性能瓶颈尚未突破，LPP光源对液滴锡靶生成精度要求极高，功率、寿命与稳定性待提升；DPP光源的碎屑控制问题未完全解决；HHG光源功率仍处于毫瓦至瓦级，需提升重复频率与平均功率才能适配大规模产线。二是产业化周期漫长，当前国内相关主体多为初创企业或高校转化团队，从实验室样机到量产落地仍需大量资金与长期工艺迭代。三是产业链协同要求高，量检测设备的性能验证需与光刻机、光刻胶、晶圆制造工艺全链路深度适配。随着高亮度相干EUV光源技术持续进步，以及CDI、散射量测、瞬态光栅等技术深度融合，国产EUV量检测工具有望在掩模缺陷检测、晶圆三维量测、光刻胶表征等关键环节实现突破。