美光（Micron）HBM 设计架构院士 Raghu Sreeramaneni 在 Hot Chips 2026 会议上警告，高带宽内存（HBM）相对于传统 DDR5 内存的硅片面积代价正随每一代产品扩大，目前约为 DDR5 的三倍，且这一差距无法在不牺牲性能的前提下缩小。他明确表示，情况“肯定没有好转”，并称“内存墙”依然存在，甚至可能正在恶化。

Sreeramaneni 解释，HBM 通过并行运行大量存储库来实现高带宽，例如 HBM4 单颗芯片包含 256 个存储库，而 DDR5 仅 32 个，这需要更大的芯片面积用于数据通路、供电以及连接各层与基底芯片的硅通孔（TSV）。一颗 HBM3E 芯片可提供 256 GB/s 带宽，而单颗 DDR5 芯片仅约 8 GB/s，因此在相同容量下，HBM 芯片面积远大于 DDR5。美光此前已公开这一代价约为 DDR5 的三倍，且随着引脚速度、存储库数量、堆叠层数和芯片尺寸的提升，这一差距逐代扩大。

Sreeramaneni 称 HBM 是“我们制造的最具跨职能复杂性的解决方案”，并指出在双 GPU 封装中，内存约占硅片总面积的 90%，约为 GPU 芯片面积的八倍。由于 HBM 每比特售价约为 DDR5 的五倍，制造商将晶圆转向 HBM 生产会不成比例地减少市场上的常规内存供应，从而推高消费级产品价格。

受此影响，常规 DRAM 合约价在 2026 年第一季度环比上涨 90% 至 95%，第二季度再涨 58% 至 63%。作为参照，一套主流 32GB DDR5-6000 内存套件本月售价约 392 美元，而一年前为 110 至 140 美元；128GB DDR5 价格已突破 3399 美元，12 个月涨幅达 500%，欧洲价格自去年 9 月以来上涨 345%。惠普在二月份告诉投资者，DRAM 已占其 PC 制造成本的 35%，而一个季度前这一比例为 15% 至 18%。Gartner 预计 2026 年 PC 出货量将下降超过 10%。尽管第三季度涨幅放缓至 13% 至 18%，但这只是因为消费电子制造商达到了可转嫁成本的上限，而非供应改善。

在技术层面，美光的演示显示计算性能大约每两年增长三倍，而 HBM 带宽增长不到两倍，这一差距正是“内存墙”恶化的体现。HBM4 将主机接口翻倍至 2048 个 I/O，美光的产品每引脚速率超过 11 Gb/s，单堆栈带宽超过 2.8 TB/s，高于 JEDEC HBM4 标准中 8 Gb/s 和 2 TB/s 的基线。这些提升都来自更高的并行度，而这再次增大了芯片面积，扩大了硅片代价。Sreeramaneni 表示，堆叠到 16 层 DRAM “有很好的路径”，但“16 层之后还有很多工作要做”。

与此同时，SK 海力士在 Hot Chips 上描述了 775 微米总厚度上限对堆叠的限制，直到行业采用混合键合技术才能突破，而 SK 海力士预计该技术要到 HBM5 才会应用。美光的 HBM4E 预计在 2027 年左右推出，将逻辑基底芯片转移到台积电的工艺，这反映了 AI 工作负载碎片化带来的定制化趋势。Sreeramaneni 表示，“分解”是当下的流行词。

热管理也是关键挑战。基底芯片位于堆叠底部，承担最高速的接口工作，而散热器在顶部，每增加一层都会提高热阻。Sreeramaneni 表示，美光现在“围绕热设计架构，而不是反过来”，这与几年前的做法相反。美光还引用 Meta 的 Llama 3 论文指出，在 16,384 块 H100 GPU 上运行 54 天期间，17.2% 的意外中断归因于 HBM3 内存，这是仅次于 GPU 故障的第二大原因，且这一可靠性负担随每个封装中 HBM 容量的增加而扩大。

市场格局方面，SK 海力士以约 58% 的份额领先 HBM 市场，低于此前约 69% 的高点，美光去年超越三星成为第二。美光今年早些时候已开始为英伟达 Vera Rubin 平台量产 36GB 12 层 HBM4，英伟达 CEO 黄仁勋在六月份表示三家供应商均已通过认证并投入生产。分析师预计，DDR5 每晶圆盈利能力将在今年年底前超过 HBM3E，这使得三家厂商缺乏增加常规产能的动力。SK 海力士去年十月表示已售罄 2026 年全部产出，Apacer 首席执行官则告诉投资者，明年对独立模组厂商的供应可能降至 2026 年产量的 30%。SK 海力士 CEO 郭鲁正称 2027 年将是内存行业历史上供应最差的一年，需求超过产出将持续到 2030 年。

作为回应，英伟达已将 DGX Spark 桌面设备价格从 3999 美元上调至 4699 美元，并警告大客户 AI 服务器价格涨幅将超过 15%，两者均与内存成本相关。现实来看，供应紧张只有在三种条件下才会缓解，且在新晶圆厂产能上线并规模化之前都不太可能：中国长鑫存储（CXMT）大规模量产有竞争力的 DDR5、混合键合技术在 HBM5 之前到来（SK 海力士已基本排除）、以及新产能的释放。