三星电子在2026年8月5日于美国加州圣克拉拉举行的未来内存与存储大会（FMS 2026）上，展示了其最新的AI内存产品组合与技术路线图，重点包括首次亮相的zHBM和zNAND-O概念模型，以及业界首款超过400层的V10 BV-NAND。这些创新覆盖从DRAM到企业存储的广泛领域，旨在满足AI基础设施对高性能、高能效存储的迫切需求。
在大会开幕主题演讲中，三星存储业务高管Jin-Yub Lee（闪存产品技术执行副总裁）和Kyungryun Kim（DRAM设计团队副总裁兼项目负责人）发表了题为“驱动AI革命浪潮：内存存储架构中的3D创新”的演讲，阐述了三星通过3D结构创新来最大化AI系统性能和能效的愿景，以应对高性能计算（HPC）和AI基础设施快速增长的需求。
zHBM：垂直堆叠的新架构
三星首次展示了zHBM概念模型，这是一种全新的3D内存架构，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器之上，改变了传统HBM与处理器并排放置的设计。这种架构缩短了AI处理器与内存之间的数据传输距离，旨在提供更高的带宽和更优的能效，从而支持大规模AI训练和推理所需的超高速数据处理。据三星介绍，采用zHBM的下一代接口系统性能预计可达HBM5的约8倍。借助新一代晶圆键合技术，zHBM的存储密度可超过HBM5的10倍，能效提升3倍，热阻降低一半以上，从而增强高容量、高带宽系统的稳定性和能效。此外，zHBM还支持客户定制设计，允许在内存与AI加速器之间的夹层中集成定制IP，以扩展内存容量并提升加速器性能。三星表示，将与客户紧密合作，进一步优化AI处理器与内存的集成。
zNAND-O与V10 BV-NAND
三星还推出了zNAND-O，这是一款基于其V-NAND技术的高性能NAND解决方案，目前正在开发四层和八层版本。zNAND-O结合了高空间效率、改进的I/O性能和低延迟，专为边缘AI环境优化，支持实时、数据密集型的AI应用。
同时，三星发布了V10 BV-NAND，采用其新的键合V-NAND架构。这一发布距三星在2013年闪存峰会上推出业界首款V-NAND技术已有13年，标志着其NAND创新的又一里程碑。V10 BV-NAND拥有超过400层，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，与前一代V9相比，存储密度提升了约58%。除了层数增加，V10 BV-NAND在读写和I/O性能上也有所提升，为未来AI系统和应用提供高性能、高容量的NAND支持。
从HBM到企业存储的全面路线图
三星还展示了其最新的AI内存与存储产品组合，包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM和PM1763，凸显了其面向下一代AI计算和数据中心基础设施的路线图。三星于今年2月率先实现基于1c DRAM和4纳米基die技术的HBM4量产，并于5月开始向全球客户出货HBM4E样品，巩固了其在下一代HBM领域的领导地位。此外，三星展示了LPDDR5X-PIM，这是业界首款采用存内计算技术的LPDDR内存，可在内存内部进行数据处理，以提高数据移动和功耗效率。展会上还展出了PM1763和BM1773等企业存储解决方案，以满足AI数据中心日益增长的存储需求。
一站式交钥匙解决方案
作为全球唯一一家在内存、晶圆代工和先进封装领域均具备领先能力的整合设备制造商（IDM），三星展示了其面向下一代AI基础设施的端到端战略，提供一站式交钥匙解决方案，从产品设计到量产，帮助客户缩短开发周期、优化性能和能效，快速推出差异化的AI半导体产品。三星在FMS 2026的展台模拟了AI云服务器环境，展示了约30项内存与存储技术。