三星電子在2026年8月5日於美國加州聖克拉拉舉行的未來記憶體與儲存大會（FMS 2026）上，展示了其最新的AI記憶體產品組合與技術路線圖，重點包括首次亮相的zHBM和zNAND-O概念模型，以及業界首款超過400層的V10 BV-NAND。這些創新覆蓋從DRAM到企業儲存的廣泛領域，旨在滿足AI基礎設施對高效能、高能效儲存的迫切需求。
在大會開幕主題演講中，三星儲存業務高管Jin-Yub Lee（快閃記憶體產品技術執行副總裁）和Kyungryun Kim（DRAM設計團隊副總裁兼專案負責人）發表了題為“驅動AI革命浪潮：記憶體儲存架構中的3D創新”的演講，闡述了三星通過3D結構創新來最大化AI系統性能和能效的願景，以應對高效能運算（HPC）和AI基礎設施快速增長的需求。
zHBM：垂直堆疊的新架構
三星首次展示了zHBM概念模型，這是一種全新的3D記憶體架構，將HBM直接垂直堆疊在AI加速器之上，改變了傳統HBM與處理器並排放置的設計。這種架構縮短了AI處理器與記憶體之間的資料傳輸距離，旨在提供更高的頻寬和更優的能效，從而支援大規模AI訓練和推理所需的超高速資料處理。據三星介紹，採用zHBM的下一代介面系統性能預計可達HBM5的約8倍。藉助新一代晶圓鍵合技術，zHBM的儲存密度可超過HBM5的10倍，能效提升3倍，熱阻降低一半以上，從而增強高容量、高頻寬系統的穩定性和能效。此外，zHBM還支援客戶定製設計，允許在記憶體與AI加速器之間的夾層中整合定製IP，以擴充套件記憶體容量並提升加速器效能。三星表示，將與客戶緊密合作，進一步最佳化AI處理器與記憶體的整合。
zNAND-O與V10 BV-NAND
三星還推出了zNAND-O，這是一款基於其V-NAND技術的高效能NAND解決方案，目前正在開發四層和八層版本。zNAND-O結合了高空間效率、改進的I/O效能和低延遲，專為邊緣AI環境最佳化，支援即時、資料密集型的AI應用。
同時，三星釋出了V10 BV-NAND，採用其新的鍵合V-NAND架構。這一發布距三星在2013年快閃記憶體峰會上推出業界首款V-NAND技術已有13年，標誌著其NAND創新的又一里程碑。V10 BV-NAND擁有超過400層，通過晶圓鍵合技術堆疊儲存單元，與前一代V9相比，儲存密度提升了約58%。除了層數增加，V10 BV-NAND在讀寫和I/O效能上也有所提升，為未來AI系統和應用提供高效能、高容量的NAND支援。
從HBM到企業儲存的全面路線圖
三星還展示了其最新的AI記憶體與儲存產品組合，包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM和PM1763，凸顯了其面向下一代AI計算和資料中心基礎設施的路線圖。三星於今年2月率先實現基於1c DRAM和4奈米基die技術的HBM4量產，並於5月開始向全球客戶出貨HBM4E樣品，鞏固了其在下一代HBM領域的領導地位。此外，三星展示了LPDDR5X-PIM，這是業界首款採用存內計算技術的LPDDR記憶體，可在記憶體內部進行資料處理，以提高資料移動和功耗效率。展會上還展出了PM1763和BM1773等企業儲存解決方案，以滿足AI資料中心日益增長的儲存需求。
一站式交鑰匙解決方案
作為全球唯一一家在記憶體、晶圓代工和先進封裝領域均具備領先能力的整合裝置製造商（IDM），三星展示了其面向下一代AI基礎設施的端到端戰略，提供一站式交鑰匙解決方案，從產品設計到量產，幫助客戶縮短開發週期、最佳化效能和能效，快速推出差異化的AI半導體產品。三星在FMS 2026的展台模擬了AI雲伺服器環境，展示了約30項記憶體與儲存技術。