半导体微影设备巨头 ASML 发布声明，确认 英特尔晶圆代工（Intel Foundry）已在其最先进的 Intel 18A 制程节点上，成功将 高数值孔径极紫外光（High NA EUV）技术投入高量产。这是该尖端微影技术首次被用于大规模商业出货，标志着芯片制造工艺迈入新阶段。
此次部署的 High NA EUV 技术，目前主要应用于代号为 “Panther Lake” 的 英特尔酷睿 Ultra Series 3 处理器生产。ASML 指出，在英特尔位于 美国俄勒冈州 的厂区，特定的 18A 芯片层已通过 High NA EUV 的双重认证，且向客户出货的产品良率，已达到与现有 NXE 平台 相当的水平。通过在特定芯片层采用 High NA EUV 进行图案化，双方得以收集关键数据，进一步优化系统设定、提升运行时间，为未来全面释放该技术潜力、扩大采用范围铺平道路。
ASML 总裁兼首席执行官 Christophe Fouquet 表示，High NA EUV 带来了更高的解析度与更佳的制程控制，是半导体微影技术的重大飞跃，将加速 AI 及其他新兴科技的进展。英特尔晶圆代工执行副总裁兼总经理 Naga Chandrasekaran 则强调，这一成就展现了双方密切的技术合作，证明 High NA EUV 能够规模化整合至先进制造中。他进一步指出，在精选的 18A 产品层上验证此制程选项，不仅能利用现有设备为客户增加产能，也为未来节点实现顶尖效能、密度及制造弹性开发了更多选择。
回顾双方合作历程，英特尔与 ASML 早在 2024 年 便于俄勒冈州 希尔斯伯勒（Hillsboro）研发中心，完成了业界首台商用 High NA EUV 微影系统的整合。英特尔同时也是全球首家安装并成功通过第二代系统 TWINSCAN EXE:5200B 验收测试的企业。该系统在前代基础上配备了改良的光源，进一步提升了产出量与叠对精度。
随着此次宣告，英特尔晶圆代工正式成为 业界第一家 使用 High NA EUV 技术出货高量产逻辑产品的企业。这一突破不仅巩固了英特尔在先进制程竞赛中的技术地位，也为整个半导体产业链带来深远影响。从 AI 芯片、高性能计算到下一代移动处理器，更精细的图案化能力意味着更高的晶体管密度与能效比，这正是驱动大模型训练与推理算力持续攀升的底层物理基础。
对晶圆代工市场而言，英特尔率先将 High NA EUV 推入高量产，向 台积电、三星 等竞争对手释放了明确信号：其在尖端制造能力上的追赶已取得实质性成果。未来，英特尔与 ASML 将继续就 High NA EUV 的量产准备保持紧密合作，并计划根据客户需求，弹性地将该技术导入未来的先进制程节点。这预示着 High NA EUV 有望从单一制程的亮点，逐步演变为多节点、多产品线的通用制造选项，进一步重塑全球半导体产能格局。