半導體微影裝置巨頭 ASML 釋出宣告，確認 英特爾晶圓代工（Intel Foundry）已在其最先進的 Intel 18A 製程節點上，成功將 高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）技術投入高量產。這是該尖端微影技術首次被用於大規模商業出貨，標誌著晶片製造工藝邁入新階段。
此次部署的 High NA EUV 技術，目前主要應用於代號為 “Panther Lake” 的 英特爾酷睿 Ultra Series 3 處理器生產。ASML 指出，在英特爾位於 美國俄勒岡州 的廠區，特定的 18A 晶片層已通過 High NA EUV 的雙重認證，且向客戶出貨的產品良率，已達到與現有 NXE 平台 相當的水平。通過在特定晶片層採用 High NA EUV 進行圖案化，雙方得以收集關鍵資料，進一步最佳化系統設定、提升執行時間，為未來全面釋放該技術潛力、擴大采用範圍鋪平道路。
ASML 總裁兼執行長 Christophe Fouquet 表示，High NA EUV 帶來了更高的解析度與更佳的製程控制，是半導體微影技術的重大飛躍，將加速 AI 及其他新興科技的進展。英特爾晶圓代工執行副總裁兼總經理 Naga Chandrasekaran 則強調，這一成就展現了雙方密切的技術合作，證明 High NA EUV 能夠規模化整合至先進製造中。他進一步指出，在精選的 18A 產品層上驗證此製程選項，不僅能利用現有裝置為客戶增加產能，也為未來節點實現頂尖效能、密度及製造彈性開發了更多選擇。
回顧雙方合作歷程，英特爾與 ASML 早在 2024 年 便於俄勒岡州 希爾斯伯勒（Hillsboro）研發中心，完成了業界首台商用 High NA EUV 微影系統的整合。英特爾同時也是全球首家安裝併成功通過第二代系統 TWINSCAN EXE:5200B 驗收測試的企業。該系統在前代基礎上配備了改良的光源，進一步提升了產出量與疊對精度。
隨著此次宣告，英特爾晶圓代工正式成為 業界第一家 使用 High NA EUV 技術出貨高量產邏輯產品的企業。這一突破不僅鞏固了英特爾在先進製程競賽中的技術地位，也為整個半導體產業鏈帶來深遠影響。從 AI 晶片、高效能運算到下一代移動處理器，更精細的圖案化能力意味著更高的電晶體密度與能效比，這正是驅動大模型訓練與推理算力持續攀升的底層物理基礎。
對晶圓代工市場而言，英特爾率先將 High NA EUV 推入高量產，向 台積電、三星 等競爭對手釋放了明確訊號：其在尖端製造能力上的追趕已取得實質性成果。未來，英特爾與 ASML 將繼續就 High NA EUV 的量產準備保持緊密合作，並計劃根據客戶需求，彈性地將該技術匯入未來的先進製程節點。這預示著 High NA EUV 有望從單一製程的亮點，逐步演變為多節點、多產品線的通用製造選項，進一步重塑全球半導體產能格局。