根据Citrini Research发布的最新预测模型，中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正快速逼近全球存储巨头美光（Micron）的产能规模。报告指出，到2026年底，CXMT的DRAM月产能预计将达到约35万片晶圆（WSPM），仅比同期美光的预估产能少2.5万片/月。这一进展意味着，中国有望在未来几年内跃升为全球第二大DRAM生产基地，仅次于韩国。

这一预测并非仅聚焦于CXMT一家。报告通过自下而上的模型分析指出，中国正在系统性地扩大其DRAM制造版图。除CXMT外，JHICC在晋江的工厂拥有足够容纳12万片/月产能的洁净室空间，其首期6万片/月产能预计在2026年底前完成设备搬入。Swaysure在深圳已建成一座14万片/月产能的晶圆厂，而长江存储（YMTC）的子公司XMC预计也将在武汉Fab 3运营约5万片/月的DRAM产能。

若上述项目均按计划投产，到2026年，中国的DRAM总产能（不含三星与SK海力士在华工厂）将达到60万片/月。这一数字虽然仍远低于韩国，但已超过日本、中国台湾和美国三地的总和，标志着全球DRAM供应格局的重大转变。

展望更远的未来，Citrini Research的模型显示，中国并未止步于此。到2030年，其DRAM总产能预计将激增至约141万片/月。其中，CXMT一家便计划通过在北京、合肥和上海新建产能，将自身月产能提升至95万片。届时，其制程分布预计为：约40万片保留在D1a节点，40万片迁移至D1b，另有约15万片将用于生产更先进的D1c产品。

这一雄心勃勃的扩张计划背后，是巨大的国内需求和明确的政策导向。报告分析称，中国正推动CXMT向JHICC、Swaysure和XMC等企业分享DRAM技术，以缓解国内供应短缺。然而，扩张之路并非坦途。最大的短期制约因素在于光刻设备的获取，尤其是若美国提出的《MATCH法案》限制向特定中国企业销售先进的浸没式深紫外（DUV）光刻机。

对此，Citrini Research的预测模型展现出一定的乐观情绪。报告预计，上海微电子（SMEE）的国产浸没式DUV光刻机可能在2026年底或2027年初进入量产，而新凯来/优力胜邦（SiCarrier/Yuliangsheng）则可能在2028年推出其可量产的DUV平台。分析师认为，到2028年之后，光刻工具将不再是中国成熟制程逻辑芯片和DRAM节点扩产的主要瓶颈。

不过，Tom's Hardware在引述该报告时也提出了更为审慎的看法。其作者认为，即便国产光刻机如期交付，设备制造商提升产能以及DRAM厂学习如何高效使用这些新工具都需要时间，因此中国本土设备在2030年代初期之前，可能还难以贡献出有意义的DRAM产量。

在需求侧，Citrini Research给出了一个惊人的预测：到2030年，全球DRAM总需求将达到每年1575亿GB（157.5 EB），其中为AI加速器配套的HBM4E和HBM5需求就高达375亿GB。而届时全行业的预计总产出仅为1290亿GB左右，存在约25%的供应缺口。在此背景下，报告分析师认为，中国DRAM产能的快速扩张，可能成为维持全球消费电子设备内存价格相对稳定的最大希望。但报告也明确指出，大部分新增产能将主要用于满足中国国内市场的庞大需求，而非直接消除全球性的供应短缺。