根據Citrini Research釋出的最新預測模型，中國最大的DRAM製造商長鑫儲存（CXMT）正快速逼近全球儲存巨頭美光（Micron）的產能規模。報告指出，到2026年底，CXMT的DRAM月產能預計將達到約35萬片晶圓（WSPM），僅比同期美光的預估產能少2.5萬片/月。這一進展意味著，中國有望在未來幾年內躍升為全球第二大DRAM生產基地，僅次於韓國。

這一預測並非僅聚焦於CXMT一家。報告通過自下而上的模型分析指出，中國正在系統性地擴大其DRAM製造版圖。除CXMT外，JHICC在晉江的工廠擁有足夠容納12萬片/月產能的潔淨室空間，其首期6萬片/月產能預計在2026年底前完成裝置搬入。Swaysure在深圳已建成一座14萬片/月產能的晶圓廠，而長江儲存（YMTC）的子公司XMC預計也將在武漢Fab 3運營約5萬片/月的DRAM產能。

若上述專案均按計劃投產，到2026年，中國的DRAM總產能（不含三星與SK海力士在華工廠）將達到60萬片/月。這一數字雖然仍遠低於韓國，但已超過日本、中國台灣和美國三地的總和，標誌著全球DRAM供應格局的重大轉變。

展望更遠的未來，Citrini Research的模型顯示，中國並未止步於此。到2030年，其DRAM總產能預計將激增至約141萬片/月。其中，CXMT一家便計劃通過在北京、合肥和上海新建產能，將自身月產能提升至95萬片。屆時，其製程分佈預計為：約40萬片保留在D1a節點，40萬片遷移至D1b，另有約15萬片將用於生產更先進的D1c產品。

這一雄心勃勃的擴張計劃背後，是巨大的國內需求和明確的政策導向。報告分析稱，中國正推動CXMT向JHICC、Swaysure和XMC等企業分享DRAM技術，以緩解國內供應短缺。然而，擴張之路並非坦途。最大的短期制約因素在於光刻裝置的獲取，尤其是若美國提出的《MATCH法案》限制向特定中國企業銷售先進的浸沒式深紫外（DUV）光刻機。

對此，Citrini Research的預測模型展現出一定的樂觀情緒。報告預計，上海微電子（SMEE）的國產浸沒式DUV光刻機可能在2026年底或2027年初進入量產，而新凱來/優力勝邦（SiCarrier/Yuliangsheng）則可能在2028年推出其可量產的DUV平台。分析師認為，到2028年之後，光刻工具將不再是中國成熟製程邏輯晶片和DRAM節點擴產的主要瓶頸。

不過，Tom's Hardware在引述該報告時也提出了更為審慎的看法。其作者認為，即便國產光刻機如期交付，裝置製造商提升產能以及DRAM廠學習如何高效使用這些新工具都需要時間，因此中國本土裝置在2030年代初期之前，可能還難以貢獻出有意義的DRAM產量。

在需求側，Citrini Research給出了一個驚人的預測：到2030年，全球DRAM總需求將達到每年1575億GB（157.5 EB），其中為AI加速器配套的HBM4E和HBM5需求就高達375億GB。而屆時全行業的預計總產出僅為1290億GB左右，存在約25%的供應缺口。在此背景下，報告分析師認為，中國DRAM產能的快速擴張，可能成為維持全球消費電子裝置記憶體價格相對穩定的最大希望。但報告也明確指出，大部分新增產能將主要用於滿足中國國內市場的龐大需求，而非直接消除全球性的供應短缺。