AI服务器内部的内存价值排序正在发生关键变化。根据 TrendForce 最新研究，2026年第一季度，64GB DDR5 RDIMM 服务器内存模块的单位晶圆收入和盈利能力首次超越 HBM 产品。这意味着，当前存储行业利润最丰厚的环节，已从紧贴AI GPU的高带宽内存，转向AI服务器中大量使用的 DDR5 内存。
这一转折直接点燃了头部存储厂商的扩产竞赛。据 The Elec 报道，SK海力士 已向核心供应商披露一项史上规模最大的 DRAM 产能扩张计划：拟在 2030至2031年间，将DRAM月产晶圆数量从目前约 55万片 提升至约 100万片，几乎翻倍。该计划与SK集团会长 崔泰源 在 2026年COMPUTEX 展会上“五年内将整体晶圆产能翻倍”的公开表态相吻合。
扩产将高度集中于 龙仁半导体集群。SK海力士将龙仁一期晶圆厂划分为6个洁净室，首个洁净室的设备搬入时间已从原定的 2027年5月 提前至 2026年2月，在完成调试并新增6万片产能后，剩余产能将在随后三年内逐步释放，共计增产 36万片。仅龙仁一期便可在 2030年上半年 实现这一目标。与此同时，正在扩建的 清州M15X 晶圆厂预计今年下半年以每月4万片规模启动运营，明年达到约8万片。新增产能均聚焦于DRAM，主要受AI数据中心建设及训练推理对高性能计算硬件的爆发式需求驱动。
在 HBM4E 方面，竞争同样激烈。6月18日，SK海力士 12层堆叠HBM4E 已向各大核心客户送出样品，预计将用于 英伟达 下一代AI加速器 Rubin Ultra。此前 5月29日，三星电子 宣布已开始向主要全球客户交付业内首批 12层48GB HBM4E 样品。美光 的HBM4产能爬坡进展亦相对顺利，计划于 2027年 量产HBM4E。三大存储龙头的供应竞赛进一步加剧。
这场存储扩产浪潮的最大受益者，远不止存储厂商本身，更包括那些提供制造设备的“卖铲人”。本轮扩产的第一波设备红利，首先砸向先进DRAM前道制程，光刻机 成为最硬的需求缺口。当DRAM制程迈入 10nm及以下 节点，多重曝光成为必需，直接推高工艺复杂度。今年3月，SK海力士便披露将向 ASML 采购总价约 80亿美元 的EUV光刻机，交付至 2027年底。涂胶显影设备在多重曝光流程中配置量同步倍增，东京电子 在该领域市占率长期稳定在90%左右。
刻蚀与薄膜沉积 是最大受益环节，两者合计占DRAM产线设备投资近五成。进入1b节点后，存储电容构建转向三维垂直结构，深宽比突破 100:1，直接催生高深宽比刻蚀设备和 原子层沉积（ALD） 设备的高速增长。泛林集团 已推出专为4F²和三维DRAM制程设计的 Akara 刻蚀系统，应用材料 则发布 Centris Spectral 与 Producer Selectra 两款新设备，分别解决高深宽比结构下的薄膜沉积与金属钼刻蚀难题。
清洗设备 需求同样飙升，高深宽比刻蚀后副产物堆积，光刻步骤翻倍使清洗工序增至 200道以上，倒逼超临界流体清洗等高端方案渗透。SCREEN Holdings 在全球单片式清洗设备领域份额约 38%。CMP设备 贯穿浅槽隔离、电容层平坦化和多层互连等多个节点，华海清科 是国内少数能量产CMP设备的厂商。
进入HBM堆叠工艺后，晶圆减薄机、混合键合设备 与 TSV刻蚀与检测设备 需求激增。Besi 是混合键合设备的主要参与者，其与 应用材料 联合研发的量产成套设备已被SK海力士采购，整套造价约 200亿韩元。Besi预测，到 2030年，全球已安装的混合键合系统累计数量将达 960至2000台，市场规模预计从 2023年的1.23亿美元 以 24.7% 复合年增长率飙升至 2030年的6.18亿美元。
国内设备厂商也在本轮浪潮中加速切入核心制程。北方华创 的PVD/CVD设备已进入国内DRAM龙头供应链，其多款刻蚀、薄膜沉积、炉管和清洗设备应用于 长江存储 产线。中微公司 的等离子体刻蚀设备大量用于先进三维闪存和DRAM量产，拓荆科技 的PECVD设备直接影响3D NAND多层堆叠能力，两家产品均已导入长江存储供应体系。盛美上海 为国内存储龙头供应清洗设备，精测电子 提供光学检测量测设备，芯源微 是涂胶显影设备供应商，精智达 专注存储芯片测试，至纯科技 提供高纯工艺系统。
泛林集团 CEO在 2026年1月 财报电话会上预测，2026年 全球晶圆厂设备市场将跃升至 1350亿美元，HBM与先进封装成核心引擎。科磊 则预测当年WFE规模将突破 1400亿美元。这是一场千亿美元级别的设备盛宴，国际巨头凭借数十年沉淀仍占据高端主导权，但国产阵营正从配套环节一步步切入核心制程，用持续的技术迭代和客户验证，逐步打破海外垄断的壁垒。