AI伺服器內部的記憶體價值排序正在發生關鍵變化。根據 TrendForce 最新研究，2026年第一季度，64GB DDR5 RDIMM 伺服器記憶體模組的單位晶圓收入和盈利能力首次超越 HBM 產品。這意味著，當前儲存行業利潤最豐厚的環節，已從緊貼AI GPU的高頻寬記憶體，轉向AI伺服器中大量使用的 DDR5 記憶體。

這一轉折直接點燃了頭部儲存廠商的擴產競賽。據 The Elec 報道，SK海力士 已向核心供應商披露一項史上規模最大的 DRAM 產能擴張計劃：擬在 2030至2031年間，將DRAM月產晶圓數量從目前約 55萬片 提升至約 100萬片，幾乎翻倍。該計劃與SK集團會長 崔泰源 在 2026年COMPUTEX 展會上“五年內將整體晶圓產能翻倍”的公開表態相吻合。

擴產將高度集中於 龍仁半導體叢集。SK海力士將龍仁一期晶圓廠劃分為6個潔淨室，首個潔淨室的裝置搬入時間已從原定的 2027年5月 提前至 2026年2月，在完成除錯並新增6萬片產能後，剩餘產能將在隨後三年內逐步釋放，共計增產 36萬片。僅龍仁一期便可在 2030年上半年 實現這一目標。與此同時，正在擴建的 清州M15X 晶圓廠預計今年下半年以每月4萬片規模啟動運營，明年達到約8萬片。新增產能均聚焦於DRAM，主要受AI資料中心建設及訓練推理對高效能運算硬體的爆發式需求驅動。

在 HBM4E 方面，競爭同樣激烈。6月18日，SK海力士 12層堆疊HBM4E 已向各大核心客戶送出樣品，預計將用於 輝達 下一代AI加速器 Rubin Ultra。此前 5月29日，三星電子 宣佈已開始向主要全球客戶交付業內首批 12層48GB HBM4E 樣品。美光 的HBM4產能爬坡進展亦相對順利，計劃於 2027年 量產HBM4E。三大儲存龍頭的供應競賽進一步加劇。

這場儲存擴產浪潮的最大受益者，遠不止儲存廠商本身，更包括那些提供製造裝置的“賣鏟人”。本輪擴產的第一波裝置紅利，首先砸向先進DRAM前道製程，光刻機 成為最硬的需求缺口。當DRAM製程邁入 10nm及以下 節點，多重曝光成為必需，直接推高工藝複雜度。今年3月，SK海力士便披露將向 ASML 採購總價約 80億美元 的EUV光刻機，交付至 2027年底。塗膠顯影裝置在多重曝光流程中配置量同步倍增，東京電子 在該領域市佔率長期穩定在90%左右。

刻蝕與薄膜沉積 是最大受益環節，兩者合計佔DRAM產線裝置投資近五成。進入1b節點後，儲存電容構建轉向三維垂直結構，深寬比突破 100:1，直接催生高深寬比刻蝕裝置和 原子層沉積（ALD） 裝置的高速增長。泛林集團 已推出專為4F²和三維DRAM製程設計的 Akara 刻蝕系統，應用材料 則釋出 Centris Spectral 與 Producer Selectra 兩款新裝置，分別解決高深寬比結構下的薄膜沉積與金屬鉬刻蝕難題。

清洗裝置 需求同樣飆升，高深寬比刻蝕後副產物堆積，光刻步驟翻倍使清洗工序增至 200道以上，倒逼超臨界流體清洗等高階方案滲透。SCREEN Holdings 在全球單片式清洗裝置領域份額約 38%。CMP裝置 貫穿淺槽隔離、電容層平坦化和多層互連等多個節點，華海清科 是國內少數能量產CMP裝置的廠商。

進入HBM堆疊工藝後，晶圓減薄機、混合鍵合裝置 與 TSV刻蝕與檢測裝置 需求激增。Besi 是混合鍵合裝置的主要參與者，其與 應用材料 聯合研發的量產成套裝置已被SK海力士採購，整套造價約 200億韓元。Besi預測，到 2030年，全球已安裝的混合鍵合系統累計數量將達 960至2000台，市場規模預計從 2023年的1.23億美元 以 24.7% 複合年增長率飆升至 2030年的6.18億美元。

國內裝置廠商也在本輪浪潮中加速切入核心製程。北方華創 的PVD/CVD裝置已進入國內DRAM龍頭供應鏈，其多款刻蝕、薄膜沉積、爐管和清洗裝置應用於 長江儲存 產線。中微公司 的等離子體刻蝕裝置大量用於先進三維快閃記憶體和DRAM量產，拓荊科技 的PECVD裝置直接影響3D NAND多層堆疊能力，兩家產品均已匯入長江儲存供應體系。盛美上海 為國記憶體儲龍頭供應清洗裝置，精測電子 提供光學檢測量測裝置，芯源微 是塗膠顯影裝置供應商，精智達 專注儲存晶片測試，至純科技 提供高純工藝系統。

泛林集團 CEO在 2026年1月 財報電話會上預測，2026年 全球晶圓廠裝置市場將躍升至 1350億美元，HBM與先進封裝成核心引擎。科磊 則預測當年WFE規模將突破 1400億美元。這是一場千億美元級別的裝置盛宴，國際巨頭憑藉數十年沉澱仍佔據高階主導權，但國產陣營正從配套環節一步步切入核心製程，用持續的技術迭代和客戶驗證，逐步打破海外壟斷的壁壘。