中國DRAM大廠長鑫儲存（CXMT）在追趕全球儲存巨頭的道路上邁出關鍵一步。據TechNews報道，該公司已成功將高介電常數金屬柵極（HKMG）技術匯入其DRAM晶體管制造，以氧化鉿（HfO₂）等材料取代傳統的二氧化矽（SiO₂）絕緣層，有效抑制漏電流，為DRAM製程進一步微縮鋪平道路。此舉被視為長鑫儲存突破技術瓶頸、劍指更先進1a節點的關鍵訊號。

隨著DRAM元件微縮至奈米尺度，傳統二氧化矽絕緣層因過薄而失效，電流通過量子隧穿效應直接穿透，造成嚴重漏電。HKMG技術通過採用高介電常數材料，在相同電壓下能儲存更多電荷，同時以定製金屬堆疊結構取代多晶矽柵極，消除了多晶矽耗盡效應帶來的電氣死區，從而提升電晶體開關速度與能效。長鑫儲存已將該技術應用於其G4 DRAM製程（業界對應為1z製程）及LPDDR5X產品，業界據此推測，其即將邁向更先進的1a節點。

在先進製程突破的同時，長鑫儲存也在積極拓展產品線。市場訊息顯示，該公司已開始進行HBM2E風險試產，採用18奈米G3 DRAM製程；同時正以G4製程進行HBM3樣品送測。此外，其DDR6記憶體晶片已完成研發驗證階段，距離量產更進一步。這些進展表明，長鑫儲存正從傳統DRAM向高附加值的高頻寬記憶體（HBM）領域滲透，試圖在AI熱潮驅動的儲存需求中分得一杯羹。

產能擴張是長鑫儲存追趕戰略的另一支柱。綜合市場訊息與路透社報道，長鑫儲存目前運營三座12英寸DRAM晶圓廠，兩座位於合肥、一座位於北京，總月產能約30萬片。公司計劃年底將月產能提升至30萬片（目前約20萬片），其中專門用於HBM的產能將達到每月約5萬片。此外，長鑫儲存正與北京經開區洽談融資，考慮在亦莊再建一座12英寸DRAM廠，並計劃在上海和合肥建設新廠。這些專案若全部落地，總產能有望翻倍至每月60萬片以上。市場預期，長鑫儲存2026年至2031年間每年增加10萬片月產能，到2031年總產能將達每月80萬片，屆時有望在量產規模上超越美光。

長鑫儲存的快速崛起，正在重塑全球DRAM產業格局。作為中國儲存晶片自主化的核心力量，其技術突破與產能擴張不僅關乎自身競爭力，更牽動全球儲存市場的供需平衡。對於AI產業鏈而言，儲存晶片是算力基礎設施的關鍵一環，長鑫的進步可能降低HBM等高階儲存的供應集中度，對下游雲廠商與AI伺服器製造商構成利好。然而，技術差距與地緣政治風險仍是其面臨的現實挑戰。業界將持續關注其1a節點量產進度及HBM產品能否通過大客戶驗證。