三星電子在高階AI儲存晶片領域的競爭力正快速回升。據首爾經濟日報8月9日報道，三星第六代高頻寬記憶體HBM4的量產良率已接近80%，提前約四個月達成年度目標。今年2月量產初期，該產品良率尚不足60%，而原定年末目標為80%——如今提前半年實現，超出業界預期。在半導體行業，80%良率被稱為“黃金良率”，意味著不良率降至最低，穩定產量與盈利能力同步提升。

良率突破直接推動三星加快供貨節奏。三星電子已決定將第三季度HBM4銷售額環比提升至三倍以上，並計劃將下半年整體HBM銷售額中HBM4的佔比提高至60%以上。與此同時，三星還設定了更長遠目標：在年底前將HBM市場份額提升至與其DRAM市場份額（約38%）相近的水平。HBM供應擴大，也將為輝達AI加速器“Vera Rubin”的生產提供更充足的儲存晶片保障。

良率躍升：六個月完成“半年跨越”

三星電子於今年2月率先在全球實現HBM4量產出貨。然而量產初期，良率不足60%，制約了供應規模的擴張。據業內人士透露，隨著下半年量產規模持續擴大，工藝改善速度明顯加快，最終提前約四個月達到80%良率目標。這一進展意味著三星在HBM4的生產穩定性上取得了實質性突破。

在半導體行業，良率80%被視為關鍵分水嶺。跨越這一門檻後，單位生產成本顯著下降，盈利能力大幅提升，企業得以在維持質量的前提下快速放量。

供應提速：三季度銷售額目標翻三倍

良率穩定後，三星隨即啟動供應擴張計劃。公司明確表示，將把第三季度HBM4銷售額提升至上一季度的三倍以上，並將HBM4在下半年整體HBM銷售額中的佔比目標設定為60%以上。這一目標的背後，是HBM市場持續供不應求的現實。隨著AI基礎設施投資加速，以輝達為代表的主要客戶對高效能儲存晶片的需求持續攀升。三星HBM4供應量的增加，將直接為輝達“Vera Rubin”AI加速器的生產提供支撐。

市場格局：三星加速追趕，客戶分散化需求提供視窗

在HBM市場，SK海力士目前佔據主導地位。三星此次良率突破，被視為其重新爭奪市場份額的重要契機。據報道，三星已將年底前HBM市場份額目標設定為與其DRAM市場份額（約38%）相近的水平，顯示出明確的追趕意圖。

祥明大學系統半導體工程系教授Lee Jong-hwan表示，對於輝達等主要客戶而言，從多家供應商採購比依賴單一來源更為有利。他認為，三星可以藉助HBM4放量這一契機，快速擴大市場影響力。客戶端對供應鏈多元化的內在需求，為三星提供了切入市場的有利視窗。隨著HBM4良率持續穩定並有望進一步提升，三星在高階AI儲存晶片領域的競爭地位料將得到實質性改善。